Конструирование гибридных интегральных микросхем. Коноплев Б.Г. - 41 стр.

UptoLike

Составители: 

41
Рис. 7.2. Эскиз топологии ГИС
Внутренний перегрев кристалла ИПС оценим по формуле (3.25)
14114
1
=
=
Θ
вНА
К.
Суммарная температура ИПС определяется по формуле (3.24)
(при максимальной рабочей температуре)
378144,16,4385
1
=
+
+
+
=
A
T К.
Рассчитанная величина температуры не превышает предельно
допустимую (418 К) для кристалла ИПС.