ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
34
I.3. МОДЕЛИРОВАНИЕ СХЕМ
1-й способ. Если в схеме установлены измерительные приборы, то
она запускается на моделирование включением напряжения питания тумб-
лером, расположенным в правой верхней части экрана. Там же расположе-
на кнопка Stop, с помощью которой можно зафиксировать процесс
моделирования в определенном состоянии. На экране осциллографа
просматриваются графики сигналов в выбранных узлах. Для лучшего
визуального просмотра на осциллографе подбираются необходимые
чувствительность по вертикальному каналу и длительность развертки.
2-й способ. При этом способе измерительные приборы (осциллограф
и др.) на схеме не устанавливаются. Желательно сделать видимыми номера
узлов. Затем назначается вид анализа из меню Analysis. Например, анализ
АЧХ выполняется по команде Analysis/ AC Frequency, анализ переходных
процессов – по команде Analysis/ Transient, анализ по постоянному току –
по команде Analysis/ DC Operating Point и др. Далее в диалоговом окне ус-
танавливаются параметры анализа и узлы, в которых просматриваются ре-
зультаты моделирования (в поле Nodes for Analysis). Процесс моделирова-
ния запускается нажатием на кнопку Simulate. Графики моделирования
представляются в окне Analysis Graphs. Окно можно распахнуть на весь эк-
ран. Параметры сигналов просматриваются с помощью двух визирных ли-
ний, появляющихся после щелчка ЛКМ на значке Toggle Cursors. (Эту ко-
манду можно выполнить и из контекстного меню). Визирные
линии перемещаются мышкой и устанавливаются в необходимом месте.
Параметры сигналов отражаются в динамическом окне.
Приложение II
ПРОГРАММА PSpice Model Editor
С помощью программы PSpice Model Editor [5], вызываемой коман-
дой Программы/ OrCAD Release 9.1/ PSpice Model Editor, рассчитываются
параметры математических моделей различных компонентов: биполярных
и полевых транзисторов, диодов и др. Открывшуюся библиотеку сохраня-
ют по команде File/Save As… в необходимой папке под оригинальным
именем, например, Student.lib. Затем по команде Model/New в открывшемся
окне выбирается разновидность элемента (Bipolar Transistor, Diode и др.).
II.1. Расчет параметров математической модели
биполярных транзисторов
Для биполярных транзисторов указывается тип проводимости транзи-
стора (n-p-n или p-n-p) и имя модели (рис. II.1).
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- …
- следующая ›
- последняя »
