ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
36
После внесения данных в каждый экран необходимо выполнять ко-
манду Tools /Extract Parameters, по которой извлекаются параметры
математической модели транзистора и строятся графики, соответствующие
введенным параметрам. После внесения данных в экраны результаты
расчета сохраняются по команде File /Save.
Пределы измерений по осям X и Y, а также тип шкалы (линейная,
логарифмическая) устанавливаются для каждого экрана по команде
Plot/Axis Settings.
Полученные параметры математической модели считываются из
файла библиотеки.
Программой рассчитываются следующие параметры математической
модели биполярного транзистора (модель Эберса-Молла):
IS – ток насыщения;
BF, BR – максимальный коэффициент передачи тока в нормальном и
инверсном режимах в схеме с ОЭ;
VAF, VAR – напряжение Эрли в нормальном и инверсном режимах;
IKF, IKR – ток начала спада зависимости BF и BR, соответственно, в
нормальном и инверсном режимах;
CJС, CJЕ – емкость коллекторного и эмиттерного переходов при
нулевом смещении;
VJC – контактная разность потенциалов перехода коллектор-база;
MJC – коэффициент, учитывающий плавность коллекторного
перехода;
TF, TR – время переноса заряда через базу в нормальном и инверс-
ном режимах;
XTF, VTF – безразмерный коэффициент и напряжение, характеризую-
щие зависимость TF от смещения база-коллектор;
ITF – ток, характеризующий зависимость TF от тока коллектора при
больших токах.
II.2. Расчет параметров математических моделей
диодов и стабилитронов
Для диода или стабилитрона вводятся порциями измеренные в под-
разд. 2.1 параметры в 5 экранов. Вводимые параметры и рассчитываемые
по ним параметры математической модели приведены в табл. II.2.
