ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
35
Рис. II.1
Затем вводятся порциями измеренные в подразд. 1.1 параметры би-
полярного транзистора в 8 экранов, вызываемых нажатием на соответст-
вующую кнопку или из меню Window.
Вводимые параметры и рассчитываемые по ним параметры матема-
тической модели приведены в таблице II.1.
Таблица II.1
Экран Символы
данных
Данные,
вводимые пользователем
Символы
параметров модели
Vbe, Ic
Зависимость напряжения насыщения Vbe от тока
коллектора Ic
Vbe(Sat)
Ic/Ib
Отношение тока коллектора к току базы в режиме
насыщения (по умолчанию равно 10)
Is
Hoe, Ic
Зависимость выходной проводимости от тока
коллектора Ic
Output...
Vce
Напряжение коллектор-эмиттер при измерении
Hoe
VAF
HFE
Зависимость статического коэффициента усиле-
ния тока в схеме с ОЭ BF от тока коллектора Ic
Forward
Vce
Смещение коллектор-эмиттер при измерении
HFE
BF
IKF
Vce, Ic
Зависимость напряжения насыщения Vce от тока
коллектора Ic
Vce(Sat)
Ic/Ib
Отношение тока коллектора к току базы в режиме
насыщения (по умолчанию равно 10)
BR
IKR
C-B
Cap…
Cobo,
Vcb
Зависимость емкости коллектор-база от обратно-
го смещения Vcb
CJC
MJC, VJC
E-B
Cap…
Cibo,
Veb
Зависимость емкости эмиттер-база от обратного
смещения Veb
CJE
Storage..
t
s
, Ic
Зависимость времени рассасывания от тока кол-
лектора (Ic/Ib=10)
TR
f
t
, Ic
Зависимость граничной частоты в схеме с ОЭ от
тока коллектора Ic
Gain
Band…
Vce
Смещение коллектор-эмиттер при измерении f
t
TF
ITF, XTF, VTF
