ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Кафедра: Физика УП:351400-05-5_R.pli Стр. 3
13:09:19 22.03.2006 Физика
1 Цели и задачи дисциплины
1.1Формирование и углубление целостных представлений о структуре и симметрии кристаллов, прямой и
обратной решетках, зонах Бриллюэна.
1.2Формирование представлений о теориях электропроводности кристаллов: классической, Зоммерфельда,
зонной.
1.3Формирование представлений о эффективной массе носителя заряда в кристалле, физической природе
возникновения энергетических зон в кристалле, физическм смысле понятия дырки.
1.4Формирование представлений о природе электрического тока в полупроводниках, диффузии и дрейфе
носителей заряда
1.5Формирование представлений о p-n переходе и его свойствах.
1.6Формирование представлений об особенностях оптических свойств полупроводников и их поведении в
сильных электрических полях.
2 Требования к уровню освоения содержания дисциплины
2.1
Студент должен иметь представление:
2.1.1 о структуре и симметрии кристаллов, прямой и обратной решетках, зонах Бриллюэна.
2.1.2 о теориях электропроводности кристаллов: классической, Зоммерфельда, зонной.
2.1.3 о эффективной массе носителя заряда в кристалле, физической природе возникновения энергетических зон
в кристалле, физическм смысле понятия дырки.
2.1.4 о природе электрического тока в полупроводниках, диффузии и дрейфе носителей заряда
2.1.5 о p-n переходе и его свойствах
2.1.6 об особенностях оптических свойств полупроводников и их поведении в сильных электрических полях
2.2
Студент должен знать и уметь:
2.2.1 элементы симметрии кристаллов и описывать положение точек и плоскостей.
2.2.2 преимущества и недостатки существующих теорий элестропроводности кристаллов
2.2.3 основные результаты решения уравнения Шредигнгера для электронов в кристалле и используемые при
этом приближения
2.2.4 процессы,обеспечивающие перенос заряда в полупроводниках.
2.2.5 стуктуру энергетических зон и уровней в области p-n перехода в различных состояниях и ее связь с
протеканием тока и обраованием внутренних зарядов
2.2.6 природу процесса поглощения света в полупроводниках, фоторезистивный и электрооптический эффкты;
туннелирование носителей тока, разогрев носителей, эффект Ганна.
2.3
Студент должен иметь навыки:
2.3.1 анализа связи зонной структуры полупроводника и его электрических свойств.
3 Объем дисциплины и виды учебной работы
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 Итого
Вид занятий
ППД РПД ППД РПД ППД РПД ППД РПД ППД РПД ППД РПД ППД РПД ППД РПД ППД РПД ППД РПД ППД РПД
ППД РПД
Лекции 16
16
Лабораторные
Практические
КСР 2
2
Семинары
Другие виды
АЗ
Ау
д. занятия 18 18
РГЗ
Реферат
Курсовой
пр./раб.
Другие виды
СР 52
52
Сам. работа
52
52
Итого 70 70
Примечание. Ячейки колонок "ППД" заполняются только при наличии примерной программы
дисциплины
4 Содержание дисциплины
4.1 Обязательный минимум содержания образовательной программы
(выписка из ГОСа)
Индекс Наименование дисциплины и ее основные разделы Всего часов
Элементы физики полупроводников 70
отсутствует
Кафедра: Физика УП:351400-05-5_R.pli Стр. 3
1 Цели и задачи дисциплины
1.1Формирование и углубление целостных представлений о структуре и симметрии кристаллов, прямой и
обратной решетках, зонах Бриллюэна.
1.2Формирование представлений о теориях электропроводности кристаллов: классической, Зоммерфельда,
зонной.
1.3Формирование представлений о эффективной массе носителя заряда в кристалле, физической природе
возникновения энергетических зон в кристалле, физическм смысле понятия дырки.
1.4Формирование представлений о природе электрического тока в полупроводниках, диффузии и дрейфе
носителей заряда
1.5Формирование представлений о p-n переходе и его свойствах.
1.6Формирование представлений об особенностях оптических свойств полупроводников и их поведении в
сильных электрических полях.
2 Требования к уровню освоения содержания дисциплины
2.1 Студент должен иметь представление:
2.1.1 о структуре и симметрии кристаллов, прямой и обратной решетках, зонах Бриллюэна.
2.1.2 о теориях электропроводности кристаллов: классической, Зоммерфельда, зонной.
2.1.3 о эффективной массе носителя заряда в кристалле, физической природе возникновения энергетических зон
в кристалле, физическм смысле понятия дырки.
2.1.4 о природе электрического тока в полупроводниках, диффузии и дрейфе носителей заряда
2.1.5 о p-n переходе и его свойствах
2.1.6 об особенностях оптических свойств полупроводников и их поведении в сильных электрических полях
2.2 Студент должен знать и уметь:
2.2.1 элементы симметрии кристаллов и описывать положение точек и плоскостей.
2.2.2 преимущества и недостатки существующих теорий элестропроводности кристаллов
2.2.3 основные результаты решения уравнения Шредигнгера для электронов в кристалле и используемые при
этом приближения
2.2.4 процессы,обеспечивающие перенос заряда в полупроводниках.
2.2.5 стуктуру энергетических зон и уровней в области p-n перехода в различных состояниях и ее связь с
протеканием тока и обраованием внутренних зарядов
2.2.6 природу процесса поглощения света в полупроводниках, фоторезистивный и электрооптический эффкты;
туннелирование носителей тока, разогрев носителей, эффект Ганна.
2.3 Студент должен иметь навыки:
2.3.1 анализа связи зонной структуры полупроводника и его электрических свойств.
3 Объем дисциплины и виды учебной работы
Вид занятий 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 Итого
ППД РПД ППД РПД ППД РПД ППД РПД ППД РПД ППД РПД ППД РПД ППД РПД ППД РПД ППД РПД ППД РПД ППД РПД
Лекции 16 16
Лабораторные
Практические
КСР 2 2
Семинары
Другие виды
АЗ
Ауд. занятия 18 18
РГЗ
Реферат
Курсовой
пр./раб.
Другие виды
СР 52 52
Сам. работа 52 52
Итого 70 70
Примечание. Ячейки колонок "ППД" заполняются только при наличии примерной программы
дисциплины
4 Содержание дисциплины
4.1 Обязательный минимум содержания образовательной программы
(выписка из ГОСа)
Индекс Наименование дисциплины и ее основные разделы Всего часов
Элементы физики полупроводников 70
отсутствует
13:09:19 22.03.2006 Физика
