Элементы физики полупроводников. Коноваленко В.В. - 4 стр.

Кафедра: Физика УП:351400-05-5_R.pli                                                                     Стр. 4

                                   4.2 Разделы дисциплины и виды занятий
    Код     Номер Вид и номер
                                 Объем
 учебного учебной занятия                                             Тема занятия
                                в часах
  занятия   недели    (пары)
                                                  СЕМЕСТР 5
                                (17 учебных недель. В неделю: 0,9 час. лекций;
                                  Модуль 1 (12 неделя - контрольная точка)
                            Раздел 1. Основы зонной теории твердого тела (49 час)
 5.01.01.01   1-3     Лекц. 1      2 Кристаллические структуры
                   Сам. работа     4 Кристаллические структуры: идеальный кристалл, решетка Браве,
                                        транснсляции, примитивные ячейка и базис, ячейка Вигнера-Зейтца;
                                        обратная и прямая решетки, первая зона Бриллюэна; атомные плоскости и
 5.01.01.02
                                        векторы обратной решетки; индексы Миллера атомных плоскостей;
                                        использование обратной решетки при описании дифракции рентгеновских
                                        лучей на кристаллах. Взаимодействие атомов в твердых телах
                   Сам. работа     4 Кристаллические структуры: решетка Браве, транснсляции, ячейка
                                        Вигнера-Зейтца; обратная и прямая решетки, первая зона Бриллюэна;
 5.01.01.03
                                        атомные плоскости и векторы обратной решетки; индексы Миллера
                                        атомных плоскостей в твердых телах
 5.01.01.04   3-5     Лекц. 2      2 Электропроводность металлов
                   Сам. работа     4 Электропроводность металлов: теория Друде, приближения независимых и
                                        свободных электронов, подвижность и дрейф носителей тока; теория
                                        Зоммерфельда: волновые функции свободных электронов, квантование
 5.01.01.05
                                        волнового вектора и импульса, энергия и сфера Ферми, средняя энергия
                                        электронов, теплоемкость свободного электронного газа, функция
                                        плотности состояний в металле, электропроводность в модели свободных
                   Сам. работа     4 Электропроводность металлов: подвижность и дрейф носителей тока;
                                        волновые функции свободных электронов, квантование волнового вектора
 5.01.01.06
                                        и импульса, энергия и сфера Ферми, средняя энергия электронов, функция
                                        плотности состояний в металле
 5.01.01.07   5-7     Лекц. 3      2 Основы зонной теории твердых тел
                   Сам. работа     4 Основы зонной теории твердых тел: трудности теории свободных
                                        электронов; уравнение Шредингера для кристалла, теорема Блоха,
                                        граничные условия Борна-Кармана; волновой вектор и квазиимульс
 5.01.01.08
                                        электрона, энергия блоховских электронов, энергетические зоны, скорость
                                        блоховских электронов; эффективная масса электронов в кристалле:
                                        изоэнергетические поверхности, тензор эффективной массы
                   Сам. работа     4 Основы зонной теории твердых тел: уравнение Шредингера для кристалла,
                                        граничные условия Борна-Кармана; волновой вектор и квазиимульс
 5.01.01.09                             электрона, энергия блоховских электронов, скорость блоховских
                                        электронов; эффективная масса электронов в кристалле: изоэнергетические
                                        поверхности, тензор эффективной массы
 5.01.01.10   7-9     Лекц. 4      2 Энергетические зоны в кристаллах
                   Сам. работа     4 Энергетические зоны в кристаллах: приближения почти свободных и
                                        сильно связанных электронов; физическая природа существования
                                        запрещенных зон в энергетическом спектре электронов в приближении
 5.01.01.11
                                        почти свободных электронов, основные результаты решения уравнения
                                        Шредигнгера, расширенная зонная схема, схема приведенных зон,
                                        периодическая зонная схема; приближение сильно связанных электронов
                   Сам. работа     4 Энергетические зоны в кристаллах:           основные результаты решения
                                        уравнения Шредигнгера в приближении почти свободных электронов,
 5.01.01.12
                                        расширенная зонная схема, схема приведенных зон, периодическая зонная
                                        схема; приближение сильно связанных электронов
 5.01.01.13  9-11     Лекц. 5      2 Статистика носителей заряда.
                   Сам. работа     4 Статистика носителей заряда: собственные и примесные полупроводники;
                                        плотность квантовых состояний в полупроводниках, равновесная
 5.01.01.14                             концентрация носителей заряда, зависимость уровня Ферми от температуры
                                        и концентрации примеси,генерация и рекомбинация, время жизни
                                        носителей заряда, неравновесные носители заряда
                   Сам. работа     3 Статистика носителей заряда: равновесная концентрация носителей заряда,
                                        зависимость уровня Ферми от температуры и концентрации примеси,
 5.01.01.15
                                        генерация и рекомбинация, время жизни носителей заряда, неравновесные
                                        носители заряда
                                  Модуль 2 (18 неделя - контрольная точка)
              Раздел 2. Кинетические и контактные явления явления в полупроводниках (19 час)
 5.02.02.01 11-13     Лекц. 6      2 Кинетические явления в полупроводниках.
13:09:19 22.03.2006                                                                                     Физика