ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Кафедра: Физика УП:351400-05-5_R.pli Стр. 5
13:09:19 22.03.2006 Физика
4.2 Разделы дисциплины и виды занятий
5.02.02.02
Сам. работа 2 Кинетические явления в полупроводниках: электропроводность
полупроводников, подвижность носителей и ее зависимость от
концентрации примесей и температуры, диффузия и дрейф носителей
заряда, уравнения токов, уравнения непрерывности.
5.02.02.03
Сам. работа 2 Кинетические явления в полупроводниках: электропроводность
полупроводников, подвижность носителей и ее зависимость от
концентрации примесей и температуры, диффузия и дрейф носителей
заряда
5.02.02.04 13-15 Лекц. 7 2 Контактные явления в полупроводниках.
5.02.02.05
Сам. работа 2 Контактные явления в полупроводниках. Поверхностные состояния.
Обедненные, инверсные и обогащенные поверхностные слои, явления на
границе полупроводник-диэлектрик; проводимость поверхностного канала
в полу-проводниках; образование p-n перехода, его энергетическая
диаграмма; резкие и плавные переходы, p-n переход в равновесном и
неравновесном состояниях, прямая и обратная ветви вольт-амперной хар
5.02.02.06
Сам. работа 3 Контактные явления в полупроводниках. Поверхностные состояния.
Обедненные, инверсные и обогащенные поверхностные слои, явления на
границе полупроводник-диэлектрик; образование p-n перехода, его
энергетическая диаграмма; резкие и плавные переходы, p-n переход в
равновесном и неравновесном состояниях
5.02.02.07
15-17 Лекц. 8 2 Оптические свойства полупроводников и их свойства в сильных
электрических полях
5.02.02.08
Сам. работа 2 Оптические свойства полупроводников и их свойства в сильных
электрических полях Поглощение света в полупроводниках,
люминесценция полупроводников, фоторезистивный и электрооптический
эффкты; туннелирование носителей тока, ударнаяя ионизация, разогрев
носителей, междолинный переход, эффект Ганна.
5.02.02.09
Сам. работа 2 Поглощение света в полупроводниках, фоторезистивный и
электрооптический эффкты; туннелирование носителей тока, ударнаяя
ионизация, разогрев носителей, междолинный переход, эффект Ганна.
18 Итоговая
неделя
Консультации, контрольная точка. (Проведение лекций, лабораторных и
практических занятий не допускается!)
4.3 Содержание разделов дисциплины
68
Код
занятия
Наименование разделов и тем /вид занятия/ Литература Часов
Раздел 1. Основы зонной теории твердого тела
49
01.01 Кристаллические структуры /лекция/ [1.001] [1.002]
[1.003] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [2.005]
[2.006]
2
01.02 Кристаллические структуры: идеальный кристалл, решетка Браве,
транснсляции, примитивные ячейка и базис, ячейка Вигнера-Зейтца; обратная и
прямая решетки, первая зона Бриллюэна; атомные плоскости и векторы
обратной решетки; индексы Миллера атомных плоскостей; использование
обратной решетки при описании дифракции рентгеновских лучей на
кристаллах. Взаимодействие атомов в твердых телах /самостоятельная работа/
[1.001] [1.002]
[1.003] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [2.005]
[2.006]
4
01.03 Кристаллические структуры: решетка Браве, транснсляции, ячейка Вигнера-
Зейтца; обратная и прямая решетки, первая зона Бриллюэна; атомные
плоскости и векторы обратной решетки; индексы Миллера атомных плоскостей
в твердых телах /самостоятельная работа/
[1.001] [1.002]
[1.003] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [2.005]
[2.006]
4
01.04 Электропроводность металлов /лекция/ [1.001] [1.002]
[1.003] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [2.005]
[2.006]
2
01.05 Электропроводность металлов: теория Друде, приближения независимых и
свободных электронов, подвижность и дрейф носителей тока; теория
Зоммерфельда: волновые функции свободных электронов, квантование
волнового вектора и импульса, энергия и сфера Ферми, средняя энергия
электронов, теплоемкость свободного электронного газа, функция плотности
состояний в металле, электропроводность в модели свободных
[1.001] [1.002]
[1.003] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [2.005]
[2.006]
4
Кафедра: Физика УП:351400-05-5_R.pli Стр. 5
4.2 Разделы дисциплины и виды занятий
Сам. работа 2 Кинетические явления в полупроводниках: электропроводность
полупроводников, подвижность носителей и ее зависимость от
5.02.02.02
концентрации примесей и температуры, диффузия и дрейф носителей
заряда, уравнения токов, уравнения непрерывности.
Сам. работа 2 Кинетические явления в полупроводниках: электропроводность
полупроводников, подвижность носителей и ее зависимость от
5.02.02.03
концентрации примесей и температуры, диффузия и дрейф носителей
заряда
5.02.02.04 13-15 Лекц. 7 2 Контактные явления в полупроводниках.
Сам. работа 2 Контактные явления в полупроводниках. Поверхностные состояния.
Обедненные, инверсные и обогащенные поверхностные слои, явления на
границе полупроводник-диэлектрик; проводимость поверхностного канала
5.02.02.05
в полу-проводниках; образование p-n перехода, его энергетическая
диаграмма; резкие и плавные переходы, p-n переход в равновесном и
неравновесном состояниях, прямая и обратная ветви вольт-амперной хар
Сам. работа 3 Контактные явления в полупроводниках. Поверхностные состояния.
Обедненные, инверсные и обогащенные поверхностные слои, явления на
5.02.02.06 границе полупроводник-диэлектрик; образование p-n перехода, его
энергетическая диаграмма; резкие и плавные переходы, p-n переход в
равновесном и неравновесном состояниях
15-17 Лекц. 8 2 Оптические свойства полупроводников и их свойства в сильных
5.02.02.07
электрических полях
Сам. работа 2 Оптические свойства полупроводников и их свойства в сильных
электрических полях Поглощение света в полупроводниках,
5.02.02.08 люминесценция полупроводников, фоторезистивный и электрооптический
эффкты; туннелирование носителей тока, ударнаяя ионизация, разогрев
носителей, междолинный переход, эффект Ганна.
Сам. работа 2 Поглощение света в полупроводниках, фоторезистивный и
5.02.02.09 электрооптический эффкты; туннелирование носителей тока, ударнаяя
ионизация, разогрев носителей, междолинный переход, эффект Ганна.
18 Итоговая Консультации, контрольная точка. (Проведение лекций, лабораторных и
неделя практических занятий не допускается!)
4.3 Содержание разделов дисциплины
68
Код Наименование разделов и тем /вид занятия/ Литература Часов
занятия
Раздел 1. Основы зонной теории твердого тела 49
01.01 Кристаллические структуры /лекция/ [1.001] [1.002] 2
[1.003] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [2.005]
[2.006]
01.02 Кристаллические структуры: идеальный кристалл, решетка Браве, [1.001] [1.002] 4
транснсляции, примитивные ячейка и базис, ячейка Вигнера-Зейтца; обратная и [1.003] [2.001]
прямая решетки, первая зона Бриллюэна; атомные плоскости и векторы [2.002] [2.003]
обратной решетки; индексы Миллера атомных плоскостей; использование [2.004] [2.005]
обратной решетки при описании дифракции рентгеновских лучей на [2.006]
кристаллах. Взаимодействие атомов в твердых телах /самостоятельная работа/
01.03 Кристаллические структуры: решетка Браве, транснсляции, ячейка Вигнера- [1.001] [1.002] 4
Зейтца; обратная и прямая решетки, первая зона Бриллюэна; атомные [1.003] [2.001]
плоскости и векторы обратной решетки; индексы Миллера атомных плоскостей [2.002] [2.003]
в твердых телах /самостоятельная работа/ [2.004] [2.005]
[2.006]
01.04 Электропроводность металлов /лекция/ [1.001] [1.002] 2
[1.003] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [2.005]
[2.006]
01.05 Электропроводность металлов: теория Друде, приближения независимых и [1.001] [1.002] 4
свободных электронов, подвижность и дрейф носителей тока; теория [1.003] [2.001]
Зоммерфельда: волновые функции свободных электронов, квантование [2.002] [2.003]
волнового вектора и импульса, энергия и сфера Ферми, средняя энергия [2.004] [2.005]
электронов, теплоемкость свободного электронного газа, функция плотности [2.006]
состояний в металле, электропроводность в модели свободных
13:09:19 22.03.2006 Физика
