Элементы физики полупроводников. Коноваленко В.В. - 7 стр.

UptoLike

Составители: 

Рубрика: 

Кафедра: Физика УП:351400-05-5_R.pli Стр. 7
13:09:19 22.03.2006 Физика
4.3 Содержание разделов дисциплины
примесей и температуры, диффузия и дрейф носителей заряда /самостоятельная
работа/
[2.002] [2.003]
[2.004] [2.005]
[2.006]
02.04 Контактные явления в полупроводниках. /лекция/ [1.001] [1.002]
[1.003] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [2.005]
[2.006]
2
02.05 Контактные явления в полупроводниках. Поверхностные состояния.
Обедненные, инверсные и обогащенные поверхностные слои, явления на
границе полупроводник-диэлектрик; проводимость поверхностного канала в
полу-проводниках; образование p-n перехода, его энергетическая диаграмма;
резкие и плавные переходы, p-n переход в равновесном и неравновесном
состояниях, прямая и обратная ветви вольт-амперной хар /самостоятельная
работа/
[1.001] [1.002]
[1.003] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [2.005]
[2.006]
2
02.06 Контактные явления в полупроводниках. Поверхностные состояния.
Обедненные, инверсные и обогащенные поверхностные слои, явления на
границе полупроводник-диэлектрик; образование p-n перехода, его
энергетическая диаграмма; резкие и плавные переходы, p-n переход в
равновесном и неравновесном состояниях /самостоятельная работа/
[1.001] [1.002]
[1.003] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [2.005]
[2.006]
3
02.07 Оптические свойства полупроводников и их свойства в сильных электрических
полях /лекция/
[1.001] [1.002]
[1.003] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [2.005]
[2.006]
2
02.08 Оптические свойства полупроводников и их свойства в сильных электрических
полях Поглощение света в полупроводниках, люминесценция
полупроводников, фоторезистивный и электрооптический эффкты;
туннелирование носителей тока, ударнаяя ионизация, разогрев носителей,
междолинный переход, эффект Ганна. /самостоятельная работа/
[1.001] [1.002]
[1.003] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [2.005]
[2.006]
2
02.09 Поглощение света в полупроводниках, фоторезистивный и электрооптический
эффкты; туннелирование носителей тока, ударнаяя ионизация, разогрев
носителей, междолинный переход, эффект Ганна. /самостоятельная работа/
[1.001] [1.002]
[1.003] [2.001]
[2.002] [2.003]
[2.004] [2.005]
[2.006]
2
5 Тематика лабораторных и письменных работ
5.1Лабораторные работы
Наименование (тема) лабораторной работы
5.1.1 данной рабочей программой не предусмотрено
5.2Письменные работы
Перечень рекомендуемых тем (с последующим уточнением при выдаче задания конкретному студенту)
5.2.1 нет
6 Учебно-методическое обеспечение дисциплины
6.1 Рекомендуемая литература
Элементы физики полупроводников
6.1.1 Основная литература
Автор(ы) Наименование
Издательство, год
издания
Назначение [
у
чебник,
у
чебное
пособие, справочник и т.д.]
Количествов
библиотеке
1.001 М. Кардона, П. Ю. Физика
полупроводников
Физматлит, 2002 учебник 10
1.002 Введение в физику
твердого тела
Ч. Киттель М., Наука, 1978 учебник 1
1.003 Н. Ашкрофт, Н
Мермин
Физика твердого
тела
М., Мир, 1978 учебник 1
6.1 Рекомендуемая литература
Элементы физики полупроводников
6.1.2 Дополнительная литература
Автор(ы) Наименование
Издательство,
год издания
Назначение [учебник,
учебное пособие,
справочник и т.д.]
Количествов
библиотеке
Кафедра: Физика УП:351400-05-5_R.pli                                                                     Стр. 7
                                     4.3 Содержание разделов дисциплины
          примесей и температуры, диффузия и дрейф носителей заряда /самостоятельная [2.002] [2.003]
          работа/                                                                    [2.004] [2.005]
                                                                                         [2.006]
  02.04 Контактные явления в полупроводниках. /лекция/                                [1.001] [1.002]    2
                                                                                     [1.003] [2.001]
                                                                                     [2.002] [2.003]
                                                                                     [2.004] [2.005]
                                                                                         [2.006]
  02.05 Контактные явления в полупроводниках. Поверхностные состояния.                [1.001] [1.002]    2
          Обедненные, инверсные и обогащенные поверхностные слои, явления на         [1.003] [2.001]
          границе полупроводник-диэлектрик; проводимость поверхностного канала в     [2.002] [2.003]
          полу-проводниках; образование p-n перехода, его энергетическая диаграмма;  [2.004] [2.005]
          резкие и плавные переходы, p-n переход в равновесном и неравновесном           [2.006]
          состояниях, прямая и обратная ветви вольт-амперной хар /самостоятельная
          работа/
  02.06 Контактные явления в полупроводниках. Поверхностные состояния.                [1.001] [1.002]    3
          Обедненные, инверсные и обогащенные поверхностные слои, явления на         [1.003] [2.001]
          границе полупроводник-диэлектрик; образование p-n перехода, его            [2.002] [2.003]
          энергетическая диаграмма; резкие и плавные переходы, p-n переход в         [2.004] [2.005]
          равновесном и неравновесном состояниях /самостоятельная работа/                [2.006]
  02.07 Оптические свойства полупроводников и их свойства в сильных электрических [1.001] [1.002]        2
          полях /лекция/                                                             [1.003] [2.001]
                                                                                     [2.002] [2.003]
                                                                                     [2.004] [2.005]
                                                                                         [2.006]
  02.08 Оптические свойства полупроводников и их свойства в сильных электрических [1.001] [1.002]        2
          полях Поглощение света в полупроводниках, люминесценция                    [1.003] [2.001]
          полупроводников, фоторезистивный и электрооптический эффкты;               [2.002] [2.003]
          туннелирование носителей тока, ударнаяя ионизация, разогрев носителей,     [2.004] [2.005]
          междолинный переход, эффект Ганна. /самостоятельная работа/                    [2.006]
  02.09 Поглощение света в полупроводниках, фоторезистивный и электрооптический [1.001] [1.002]          2
          эффкты; туннелирование носителей тока, ударнаяя ионизация, разогрев        [1.003] [2.001]
          носителей, междолинный переход, эффект Ганна. /самостоятельная работа/     [2.002] [2.003]
                                                                                     [2.004] [2.005]
                                                                                         [2.006]


                                 5 Тематика лабораторных и письменных работ
        5.1Лабораторные работы
    №                                   Наименование (тема) лабораторной работы
5.1.1     данной рабочей программой не предусмотрено

        5.2Письменные работы
    №        Перечень рекомендуемых тем (с последующим уточнением при выдаче задания конкретному студенту)
5.2.1      нет

                                6 Учебно-методическое обеспечение дисциплины
                                         6.1 Рекомендуемая литература
                                      Элементы физики полупроводников
                                           6.1.1 Основная литература
                                            Издательство, год Назначение [учебник, учебное Количествов
 №        Автор(ы)         Наименование
                                                  издания       пособие, справочник и т.д.]    библиотеке
1.001 М. Кардона, П. Ю. Физика              Физматлит, 2002    учебник                      10
                        полупроводников
1.002 Введение в физику Ч. Киттель          М., Наука, 1978    учебник                      1
      твердого тела
1.003 Н. Ашкрофт, Н     Физика твердого     М., Мир, 1978      учебник                      1
      Мермин            тела

                                       6.1 Рекомендуемая литература
                                    Элементы физики полупроводников
                                     6.1.2 Дополнительная литература
                                                                  Назначение [учебник,
                                                 Издательство,                                  Количествов
 №       Автор(ы)           Наименование                             учебное пособие,
                                                  год издания                                   библиотеке
                                                                    справочник и т.д.]

13:09:19 22.03.2006                                                                                     Физика