Составители:
Однако такое дублирование оправдывалось достигаемыми характеристиками
памяти, а его стоимость не была чрезмерной (электроника обрамления
составляла не более 5-15% от общей площади кристалла микросхемы).
Впоследствии разрядность хранимых в микросхеме слов была
увеличена и составляет на сегодня от 4-х до 16-ти разрядов для типовых
микросхем, т.е. N × 4, N × 8, N ×
16. Понятно, что относительная доля
избыточных схем обрамления при этом падает.
На функциональных схемах микросхема памяти изображается
обычным прямоугольником с левым и правым полями, как показано на рис.
9.
Микросхема имеет три группы входов: адресные входы, вход(ы)
данных и управляющие входы.
Количество адресных входов (A
0
÷A
k
) определяется емкостью и
организацией микросхемы памяти, а также способом подачи адреса.
Нетрудно видеть, что емкость микросхемы E
Сх
, равная произведению
количества адресов (слов) N на разрядность хранимых слов n, не определяет
однозначно требуемое число адресных входов. Для адресации любого из N
слов требуется адрес разрядностью log
2
N. Например, для адресации
микросхемы емкостью E
Сх
= 128 Мбит, имеющей организацию 16М × 8
(адресов × бит), достаточно log
2
16М = log
2
(2
4
× 2
20
) = 24 разряда.
Способ подачи адреса также оказывает влияние на количество
адресных входов микросхемы. Так, распространенный в динамических
оперативных ЗУ прием мультиплексирования адресных входов, состоящий в
32
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 30
- 31
- 32
- 33
- 34
- …
- следующая ›
- последняя »
