Составители:
постоянная и флэш-память, а также приводятся некоторые сведения по
другим видам памяти.
2.1. Организация БИС ЗУ с произвольным доступом
Состав и структура микросхем оперативных ЗУ в процессе
совершенствования технологий их изготовления подверглись определенным
изменениям.
Первые полупроводниковые оперативные ЗУ строились на схемах
малой и средней степени интеграции и включали в
себя несколько различных
типов микросхем: собственно матрицы элементов памяти, усилители чтения-
записи, дешифраторы и, при необходимости, регистры (адреса и данных).
Позднее, с появлением больших интегральных схем (БИС) и
повышением частоты их работы, использование раздельных типов
микросхем перестало быть оправданным по следующим причинам. Во-
первых, количество элементов памяти в матрицах возросло настолько
, что
число выводов, требующееся для выбора элемента памяти и равное сумме
количества строк и количества столбцов матрицы, стало очень большим
(несколько тысяч). Во-вторых, длина соединений между микросхемами
больше, чем длина соединений внутри микросхемы, что увеличивает время
прохождения сигнала и реактивные составляющие (емкость и индуктивность,
или перекрестные помехи), а следовательно
, уменьшает быстродействие
памяти.
Поэтому микросхемы памяти стали включать в себя не только
элементы памяти, но и всю остальную электронику управления:
дешифраторы, усилители, буферные регистры, схемы управления. Такой
состав БИС памяти приводил к известной аппаратной избыточности
строящихся на их основе модулей памяти.
Действительно, первые БИС памяти имели логическую организацию
вида N
одноразрядных слов, или N × 1, где N – количество адресов
(одноразрядных слов) микросхемы. Следовательно, каждый разряд модуля
памяти, построенного на таких микросхемах, включал свои собственные
дешифраторы, буферные регистры и схемы управления, одного комплекта
которых при традиционной организации было достаточно для целого модуля.
31
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 29
- 30
- 31
- 32
- 33
- …
- следующая ›
- последняя »
