Организация ЭВМ и систем. (Память ЭВМ). Копейкин М.В - 36 стр.

UptoLike

Однако триггер со времен первых компьютеров был и остается самым
быстродействующим элементом памяти. Поэтому статическая память
позволяет достичь наибольшего быстродействия, обеспечивая время доступа
в единицы и даже десятые доли наносекунд, что и обусловливает ее
использование в ЭВМ, главным образом, в высших ступенях памятикэш-
памяти всех уровней.
Главными недостатками статической памяти
являются ее относительно
высокие стоимость и энергопотребление.
Конечно, в зависимости от используемой технологии, память будет
обладать различным сочетанием параметров быстродействия и потребляемой
мощности. Например, статическая память, изготовленная по КМОП-
технологии (CMOS память), имеет низкую скорость доступа, со временем
порядка 100 нс, но зато отличается очень малым энергопотреблением. В
ПЭВМ такую память применяют
для хранения конфигурационной
информации компьютера при выключенном напряжении сети (в этой же
микросхеме размещают и часы, отсчитывающие реальное время). Питание
такой памяти осуществляется от небольшой батарейки, которая может
служить несколько лет.
Основными разновидностями статической памяти (SRAM) с точки
зрения организации ее функционирования являются асинхронная
(Asynchronous), синхронная пакетная (Synchronous Burst) и синхронная
конвейерно-
пакетная (Pipeline Burst) память.
Первой появилась асинхронная память, Интерфейс этой памяти
включает шины данных, адреса и управления. В состав сигналов последней
входят:
CS# (Chip Select)сигнал выбора микросхемы;
WE# (Write Enable) – сигнал разрешения записи;
OE# (Output Enable) – сигнал включения выходов для выдачи данных.
Все сигналы управления инверсные, т.е. их активный (вызывающий
соответствующее действие) уровень
низкий. При единичном значении
сигнала OE# выход микросхемы переходит в состояние высокого выходного
сопротивления.
Временные диаграммы циклов чтения и записи приведены на рис. 11 и
не требуют особых пояснений. Цикл записи может быть организован и
36