Составители:
команде выдается вторая команда записи колонки с адресом a
k
, а затем и
данные для нее.
Спустя время задержки записи t
RTR
может быть подана необязательная
команда маски записи (Msk), позволяющая производить побитное
маскирование записи данных. Если команда маски не подается, то в этих же
тактах данные записываются полностью. Наконец, спустя время t
RTP
после
последней записи подается команда подзаряда строки банка.
Как видно, эти транзакции выполняются, в целом, аналогично тому,
как и соответствующие операции в SDRAM. Однако имеется и ряд отличий.
Во-первых, транзакции RDRAM обрабатывают только одну передачу,
т.е. 2 байта, а не пакет (от 8 до 64 байт как в SDRAM). Это позволяет
упростить протокол шины
, обеспечивая ее производительность за счет
высокой частоты шины.
Во-вторых, передачи адресов и данных выполняются, как указано
выше, параллельно-последовательно (занимая по четыре такта шины
каждая), что показано на рис. 22 и 23 соответствующими переключениями
сигналов. Пакеты, передаваемые по адресным шинам (ROW и COL), могут
иметь различное назначение, задавая либо собственно адрес, либо команду.
Сами команды (активация (строки) банка, запись, чтение, подзаряд и др.)
аналогичны командам памяти SDRAM типа.
В-третьих, имеются особенности синхронизации для транзакций
чтения, которые должны компенсировать различную физическую
удаленность модулей памяти от контроллера и обеспечить одновременное
поступление данных к контроллеру. Для этого приходится устанавливать
различную задержку выдачи данных относительно адреса столбца для
микросхем, находящихся на разном расстоянии от контроллера.
Также, как и SDRAM, память RDRAM допускает конвейерную
обработку различных обращений. При полной занятости шины на ней может
присутствовать до четырех транзакций, что при обращениях по
последовательным адресам, может обеспечить до 100% использования
полосы пропускания шины данных.
58
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 56
- 57
- 58
- 59
- 60
- …
- следующая ›
- последняя »
