Составители:
После этого с задержкой t
CAC
микросхема выдает прочитанные данные.
Отсчет времени на линиях ROW и COL производится по отношению к
моментам окончания пакета, а на линиях данных – по отношению к началу
пакета. Далее с задержкой t
CC
выдается вторая команда чтения (колонки) с
адресом a
k
.
Затем подается команда подзаряда (Prer) банка, которая должна быть
подана не ранее времени t
RAS
после команды активации банка (команда
активации в любой синхронной динамической памяти, не только RDRAM,
разрушает информацию, записанную в активируемой строке, разряжая все
конденсаторы, поэтому их и приходится восстанавливать командой
подзаряда банка). Кроме того, команда подзаряда не должна выдаваться
ранее времени t
RPD
после предшествующей команды чтения.
Транзакция записи, представленная на рис. 23, начинается также, как и
транзакция чтения, командой активации банка. За ней следует команда
записи (Wr) колонки, подаваемая через интервал времени, равный t
RCD
− t
RTR
(времена отсчитываются от концов пакетов), данные для которой поступают
на шины данных с задержкой t
CWD
, что отличается от SDRAM памяти, в
которой такой задержки нет. Далее с задержкой t
CC
по отношению к первой
57
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 55
- 56
- 57
- 58
- 59
- …
- следующая ›
- последняя »
