Составители:
2.3.6. Модули динамических оперативных ЗУ
Оперативные запоминающие устройства всегда были ресурсом,
допускающим увеличение емкости, а иногда и сокращение времени
обращения, с целью повышения общей производительности ЭВМ.
Совершенствование технологий изготовления оперативных ЗУ привело к
тому, что стойки памяти середины 1970-х годов емкостью 512 Кбайт,
размером с двустворчатый платяной шкаф, сменили маленькие платы с
микросхемами размером с зажигалку. Более того, если модернизация (или,
как теперь принято говорить, “апгрейд”) ЭВМ тех времен, связанная с
наращиванием или заменой оперативной памяти, предполагала проведение
достаточно серьезных монтажных работ, то теперь, в стандартной ситуации,
замену памяти в течение 5 – 10 минут может провести даже пользователь, не
являющийся специалистом по компьютерной технике.
Стандартизация интерфейсов оперативной памяти сделала возможным
использование модулей памяти одних производителей в системах, собранных
из компонент других производителей. Хотя, конечно, параметры и качество
их могут быть различны.
Модули динамической полупроводниковой памяти прошли эволюцию
от набора микросхем, устанавливаемых на системной плате и заметных по
своему регулярному расположению (несколько смежных рядов одинаковых
микросхем
) до отдельных небольших плат, вставляемых в стандартный
разъем (слот) системной платы. Первенство в создании таких модулей
памяти обычно относят к фирме IBM.
Основными разновидностями модулей динамических оперативных ЗУ
с момента их оформления в виде самостоятельных единиц были:
- 30-контактные однобайтные модули SIMM (DRAM)
- 72-контактные четырехбайтные модули SIMM (DRAM)
- 168-контактные восьмибайтные модули DIMM (SDRAM)
- 184-контактные восьмибайтные модули DIMM (DDR SDRAM)
- 184-контактные (20 из них не заняты) двухбайтные модули RIMM
RDDRAM).
59
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 57
- 58
- 59
- 60
- 61
- …
- следующая ›
- последняя »
