Составители:
Рубрика:
33
Рис.5 Концентрация электронов и дырок в области n - p - перехода.
Оценим разность потенциалов, возникающую в области n-p перехода. При
расчете будем для определенности считать что концентрации доноров в n-
области и акцепторов в p-области равны друг другу. При равной концентрации
акцепторов и доноров смещение уровня Ферми вверх в n-области равно смеще-
нию этого
уровня вниз в р-области. Разность потенциалов ϕ в области n-p пере-
хода поэтому равна:
CFCF
Eε 2)E
2
1
(ε 2e −=−=
ϕ
. (9)
В формуле (9) энергия уровней, как обычно, отсчитывается от верхнего края
валентной зоны. Величина 0,5Е
с
определяет несмещенное положение уровня
Ферми.
Подставим (9) в (7):
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
⋅
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
=
kT
e
exp
m
m
p
n
2
3
p
e
ϕ
. (10)
Логарифмируя (10), находим искомую разность потенциалов ϕ:
⎥
⎥
⎦
⎤
⎢
⎢
⎣
⎡
⎟
⎟
⎠
⎞
⎜
⎜
⎝
⎛
⋅=
2
3
e
p
m
m
p
n
ln
e
kT
ϕ
. (11)
При Т = 300К величина контактной разности потенциалов может составлять
0,35В у германиевого перехода и 0,7В у кремниевого. Эта разность потенциа-
лов приложена к тонкому переходному слою толщиной порядка 10
-5
см.
Один из способов определения величины контактной разности потенциалов
состоит в исследовании вольтамперной характеристики диода при различных
температурах Т. Можно показать [3-5], что суммарный ток электронов и дырок,
протекающих через диод, равен:
⎥
⎦
⎤
⎢
⎣
⎡
−
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
⋅
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
⋅= 1
kT
еV
ехр
kT
е
-ехр AI
ϕ
. (12)
Рис.5 Концентрация электронов и дырок в области n - p - перехода. Оценим разность потенциалов, возникающую в области n-p перехода. При расчете будем для определенности считать что концентрации доноров в n- области и акцепторов в p-области равны друг другу. При равной концентрации акцепторов и доноров смещение уровня Ферми вверх в n-области равно смеще- нию этого уровня вниз в р-области. Разность потенциалов ϕ в области n-p пере- хода поэтому равна: 1 eϕ = 2 (ε F − E C ) = 2 ε F − E C . (9) 2 В формуле (9) энергия уровней, как обычно, отсчитывается от верхнего края валентной зоны. Величина 0,5Ес определяет несмещенное положение уровня Ферми. Подставим (9) в (7): 3 n ⎛⎜ m e ⎞⎟ 2 ⎡ eϕ ⎤ = ⋅ exp ⎢ ⎥ . (10) p ⎜⎝ m p ⎟⎠ ⎣ kT ⎦ Логарифмируя (10), находим искомую разность потенциалов ϕ: ⎡ 3 ⎤ kT ⎢ n ⎛ m p ⎞ 2 ⎥ ϕ= ln ⋅ ⎜ ⎟ e ⎢ p ⎜⎝ m e ⎟⎠ ⎥ . (11) ⎣ ⎦ При Т = 300К величина контактной разности потенциалов может составлять 0,35В у германиевого перехода и 0,7В у кремниевого. Эта разность потенциа- лов приложена к тонкому переходному слою толщиной порядка 10-5см. Один из способов определения величины контактной разности потенциалов состоит в исследовании вольтамперной характеристики диода при различных температурах Т. Можно показать [3-5], что суммарный ток электронов и дырок, протекающих через диод, равен: ⎛ еϕ ⎞ ⎡ ⎛ еV ⎞ ⎤ I = A ⋅ ехр⎜ - ⎟ ⋅ ⎢ехр⎜ ⎟ − 1⎥ . (12) ⎝ kT ⎠ ⎣ ⎝ kT ⎠ ⎦ 33
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 32
- 33
- 34
- 35
- 36
- …
- следующая ›
- последняя »