Автоматизация технологического проектирования РЭС. Королев А.П - 28 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Рис. 1.20 Зависимости подвижности электронов от концентрации донорной
примеси для ряда моделей электрофизических параметров
Рис. 1.21 Зависимости подвижности дырок от концентрации акцепторов
(сплошная кривая) и доноров (штрихпунктир)
Для объяснения отличия подвижностей основных и неосновных носи-
телей заряда в полупроводнике с высокой концентрацией развита феноме-
нологическая модель.
Суть уменьшения µ
р
(С
D
) при высоких концентрациях С
D
заключается
в:
1) увеличении эффективной массы m
р
* в условиях переноса дырок в
сильнолегированном кремнии, более похожем на аморфный, нежели на
кристаллический полупроводник;
2) уменьшении характеристического времени рассеяния за счет воз-
растания роли «ловушечных» центров в сильнолегированном кремнии, ко-
гда «хвостовые эффекты» функции распределения приводят в разупорядо-
ченной кристаллической решетке к высокой локализации «ловушечных»
центров, инициирующих интенсивный захват неосновных носителей заряда
(рис. 1.22). Модель выделяет на первый план влияние эффекта сильного
легирования (ЭСЛ) на движение неосновных носителей заряда при практи-
чески пренебрежимом влиянии ЭСЛ на процесс переноса заряда основны-
ми носителями.
Для данной концентрации С
D
= n в n-области полупроводника плот-
ность захваченных «ловушечными» центрами дырок р
t
относительно плот-
10
14
10
16
10
18
10
20
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
С
D
, см
-3
µ
n
, см
2
/(В⋅с)
10
14
10
15
10
16
10
17
10
18
10
19
10
20
10
21
0
200
400
600
800
1000
C
D
, см
–3
µ
p
, см
2
/(В⋅с)

Страницы