ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
()
[]
146,04,2
0
33,2
2
57,0
1ст
1
−
α
−
−
−
++
µ
+µ=µ
nCCTC
T
T
T
ADn
n
n
, (1.61)
()
()
()
300 ,
105,4
1ln
1043,1
31
11
20
21
KTT
pn
pn
ncs
=
⋅
+
⋅
=µ
. (1.62)
В выражениях (1.60) – (1.62) использованы параметры µ
1
, µ
2
, C
0
(см
-3
),
α, β, υ
s
, которые имеют следующие значения: для электронов 88, 1268,
7,92⋅10
–18
, 088, 1/2, 1,1⋅10
7
, для дырок соответственно 54,3, 405, 427⋅10
–18
,
0,88, 1, 1,03⋅10
7
.
Рис. 1.19 Зависимости подвижности дырок от концентрации акцепторной
примеси для ряда моделей электрофизических параметров
На рис. 1.19, 1.20 для сравнения приведены зависимости подвижности
основных носителей заряда от соответствующих концентраций примесей,
обнаруживающие примерно одинаковый ход кривых (особенно для µ
n
) в
широком диапазоне концентрации для Т = 293 К.
В большинстве ФТ-расчетов до недавнего времени в связи с отсутст-
вием надежных экспериментальных данных полагалось примерное равен-
ство подвижностей основных и неосновных носителей заряда.
Модель подвижности неосновных носителей заряда. На рис 1.21 пред-
ставлены экспериментальные зависимости подвижности неосновных носи-
телей заряда (дырок) и показано, что в области средней концентрации 10
15
≤ С
D
≤ 10
16
см
–3
она может быть несколько выше подвижности основных
носителей, а в области очень высокой концентрации С
D
≥10
20
см
–3
– суще-
ственно ниже. Первое отличие объясняется эффектом экранирования ос-
новных носителей заряда и неодинаковым рассеянием носителей на при-
месных атомах. При ФТ-моделировании полупроводниковых структур
обобщенным выражением для подвижности носителей (1.60) в члене рас-
сеяния на ионизированной примеси можно подстроить (несколько умень-
шить) коэффициенты µ
1
, µ
2
с целью совпадения модельных и эксперимен-
тальных зависимостей подвижностей неосновных носителей заряда.
400
300
200
100
0
10
14
10
15
10
16
10
17
10
18
10
19
10
20
С
А
, см
–3
µ
p
, см
2
/(В
⋅
с)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 25
- 26
- 27
- 28
- 29
- …
- следующая ›
- последняя »
