Автоматизация технологического проектирования РЭС. Королев А.П - 25 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

Решение уравнения (1.56) удовлетворяет начальным и граничим усло-
виям:
() () ()
,,0,0,
221
tf
Z
C
D
Z
C
DZfZC
f
zz
=
∂
∂
==
∂
∂
==
→
∞→
(1.57)
где функция f (t) описывает диффузионный профиль распределения приме-
си перед эпитаксиальным наращиванием, граничное условие
0=
∂
∂
∞→Z
Z
C
D
означает равенство нулю потока примесных атомов на
большом расстоянии от подложки. Последнее граничное условие (1.57)
учитывает, что в ходе эпитаксиального роста диффузионный поток при-
месных атомов внутрь растущего слоя на границе раздела газ–кристалл
является функцией времени. Выражение для функции получается из мате-
матического описания механизма захвата примеси решеткой кремния в
процессе роста эпитаксиального слоя.
Рис. 1.18 К объяснению процесса роста эпитаксиального слоя
Последовательность процессов, происходящих в газовой фазе эпитак-
сиального реактора, включает в себя такие основные этапы:
•
принудительный массоперенос арсина от входа в камеру к области
эпитаксиального наращивания;
•
массоперенос молекул арсина из основного газового потока через
граничный слой к поверхности, где происходит эпитаксиальное наращива-
ние;
•
диссоциацию молекул арсина посредством газофазных химических
реакций на мышьяксодержащие частицы;
•
адсорбцию мышьяксодержащих частиц на поверхности;
•
химическую диссоциацию арсина в адсорбированном слое;
•
диффузию на поверхности и встраивание адсорбированных атомов
As в наращиваемый эпитаксиальный слой;
•
зарастание встроенных в решетку атомов As за счет последующего
подхода атомов Si в процессе наращивания;
•
десорбцию водорода с поверхности.
Для последовательности процесса эпитаксиального наращивания гра-
ничное условие (1.57) можно записать в виде
p
x
j
Эпитаксиальный
слой
Подложка
До термообработки
После термообработки
n
+
n
C
D
x
После термообработки
n
+
До термообработки
C
D
n
x
C
D
x
До
термообработки
После
термо-
обра-
ботки

Страницы