ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
При облучении мишени в направлениях, вдоль которых имеются пе-
риодически расположенные атомы и свободные от атомов каналы, наблю-
даются аномально большие пробеги ионов. В кремнии эффект легирования,
когда большая часть примесных атомов проникает в глубь решетки по ка-
налам со слабым торможением, наблюдается в плоскостях 〈110〉, 〈100〉,
〈111〉. Наименьшая плотность атомов имеется в плоскостях 〈110〉 (рис. 1.2,
а, б), наибольшая – в плоскостях 〈111〉, при этом средняя длина пробега
ионов в плоскостях 〈110〉 вдвое больше, чем в плоскостях 〈111〉.
При каналировании потери кинетической энергии ионов происходят
практически за счет электронного торможения. При проникновении иона в
кристалл кремния параллельно главной кристаллографической оси или
плоскости глубина проникновения увеличивается за счет эффекта канали-
рования, что приводит к профилю распределения, показанному на рис. 1.3.
По мере облучения мишени плотность дефектов в приповерхностном слое
возрастает, так как каналы перекрываются
Рис. 1.2 Иллюстрация эффекта каналирования в кремниевых структурах:
а – проекция структуры на плоскость 〈110〉; б – возможные траектории ионов в за-
висимости от направления входа в канал
Рис. 1.3 Каналирование ионов в кристалле вдоль главной кристаллографиче-
ской оси или плоскости
атомами, смещенными в глубь канала из-за столкновений ионов с атомами
решетки, и, следовательно, эффект каналирования исчезает. Если отклоне-
ния пучка атомов примеси от основных кристаллографических осей неве-
лики, то эффект каналирования по-прежнему сохраняется. При отклонении
Деканалированные ионы
S
i
Si Si
S
i
Si Si
S
i
Si Si
Каналированные ионы
Пик каналированных ионов
Профили при каналировании
Концентрация ионов
Z
N
max
R
p
∆R
p
а)
Ось канала
ψ
б)
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »
