Автоматизация технологического проектирования РЭС. Королев А.П - 4 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

ВВЕДЕНИЕ
Проектирование современных радиоэлектронных средств (РЭС) не-
мыслимо без использования программных и технических средств. Их при-
менение позволяет интенсифицировать проектирование РЭС и моделиро-
вание технологических процессов их изготовления. Повышение эффектив-
ности разработок быстродействующих кремниевых СБИС как компонентов
РЭС, улучшение их технико-эксплуатационных показателей определяются
исключительно автоматизацией проектирования СБИС.
Поскольку современный этап развития интегральной электроники
связан с переходом к субмикронным и наноразмерным технологиям и при-
борам, определяющим уже на начальном уровне разработки основные тех-
нико-эксплуатационные характеристики приборов и ЭВМ, требования к
научному уровню высококвалифицированного специалиста в области разра-
ботки и машинного моделирования резко возрастают.
В основу изложения материала положен комплексный подход мно-
гоуровневого проектирования РЭС и моделирования от микро- и нанотех-
нологий до функционирования приборов и схем, с необходимым описани-
ем соответствующих моделей. Основной этап каждого уровня моделирова-
ния – математическая формулировка задачи исследования, выбор матема-
тической модели объекта. Выбору математической модели объекта пред-
шествует очень важный процесс выбора физических приближений, ранжи-
рования учитываемых и пренебрегаемых факторов.
Пособие знакомит студентов и магистрантов с некоторыми техноло-
гическими методами изготовления и исследования новых наноструктурных
материалов. В частности, описываются химические, физические и механи-
ческие методы получения нанопорошков. В пособии обсуждаются особен-
ности моделирования наноструктур, их свойства и области применения,
описан рентгеноструктурный анализ и определение размеров частиц нано-
материалов.
Ознакомление широкого круга студентов и магистрантов радиоэлек-
тронных специальностей с методами проектирования РЭС позволит приоб-
рести навыки изобретательства и модифицирования перспективных микро-
и нанотехнологий и приборов.
Материал настоящего учебного пособия базируется на сведениях,
опубликованных в отечественных и зарубежных литературных источниках
и на личном опыте авторов в области проектирования и моделирования
микротехнологий, низкоразмерных технологий и приборов, а так же на
опыте, полученном в течение учебных занятий со студентами специально-
сти 210201.
1 МОДЕЛИРОВАНИЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ МИКРОТЕХНО-
ЛОГИЙ
1.1 МОДЕЛИ ПРОЦЕССОВ ИОННОГО ЛЕГИРОВАНИЯ
Легирование полупроводника примесями проводится с целью созда-
ния различных приборных структур за счет изменения его электрофизиче-
ских свойств; типа электропроводности, удельного сопротивления и других
характеристик.
Реализованные и потенциальные преимущества ионного легирования
позволяют: осуществлять процесс с высокой производительностью; созда-
вать практически любые профили распределения за счет ступенчатого ле-
гирования; совмещать процесс легирования с другими технологическими
процессами поверхностной обработки кристалла; получать прецизионное
формирование профиля полупроводниковых приборных структур. С дру-
гой стороны, ионное легирование имеет недостатки и ограничения. Есть
определенные трудности в проведении процесса легирования, связанные с
нарушениями, созданными ионной бомбардировкой, и окончательным ме-
стоположением внедренных ионов. Как правило, необходимо устранить эти
нарушения в виде смещенных из узлов кристаллической решетки атомов
полупроводниковой мишени и в то же время сделать внедренные атомы
примеси электрически активными. Обычно это достигается частичным или

Страницы