ВУЗ:
Составители:
166
Система ЧПУ также управляет продоль-
ными и поперечными перемещениями стола, на
котором закреплена заготовка, продолжитель-
ностью импульсов и интервалов между ними.
При размерной обработке заготовок уста-
новка работает в импульсном режиме, что
обеспечивает локальный нагрев заготовки. В
зоне обработки температура достигает 6000
0
С,
а на расстоянии 1 мкм от кромки луча не пре-
вышает 300
0
С. Продолжительность импульсов
и интервалы между ними подбирают так, что-
бы за один цикл успел нагреться и испариться
металл только под лучом. Длительность им-
пульсов составляет 10
–4 -
10
–6
с, а частота 50 -
6000 Гц. Диаметр сфокусированного электрон-
ного луча – несколько микрометров.
Электронно-лучевой метод перспективен
при обработке отверстий диаметром от 1 мм до
10 мкм, прорезании пазов, резке заготовок, из-
готовлении тонких пленок и сеток из фольги. Обрабатывают заготовки из
труднообрабатываемых металлов и сплавов, а также из неметаллических
материалов: рубина, керамики, кварца, полупроводниковых материалов.
Электронно-лучевая обработка имеет преимущества, обусловливаю-
щие целесообразность ее применения: создание локальной концентрации
высокой энергии, широкое регулирование и управление тепловыми процес-
сами. Вакуумные среды позволяют обрабатывать заготовки из легкоокис-
ляющихся активных материалов. С помощью электронного луча можно на-
носить покрытия на поверхности заготовок в виде пленок, толщиной от не-
скольких микрометров до десятых долей миллиметра.
Недостатком обработки является то, что она возможна только в ва-
кууме.
Светолучевая (лазерная) обработка основана на тепловом воздейст-
вии светового луча высокой энергии на поверхность обрабатываемой заго-
товки. Источником светового излучения служит лазер – оптический кван-
товый генератор (ОКГ). Созданы конструкции твердотельных, газовых и
полупроводниковых ОКГ. Их работа основана на принципе стимулирован-
ного генерирования светового излучения.
Атом вещества, имея определенный запас энергии, находится в устой-
чивом энергетическом состоянии и располагается на определенном энерге-
тическом уровне. Для выведения атома из устойчивого энергетического со-
Рис. 8.13. Схема
электронно-лучевой
установки
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 165
- 166
- 167
- 168
- 169
- …
- следующая ›
- последняя »
