Проектирование, изготовление и исследование интерференционных покрытий. Котликов Е.Н - 116 стр.

UptoLike

Рубрика: 

116
Оптические
свойства
пленок
определяются
условиями
их
получения
и
зачастую
отличаются
от
известных
справочных
данных
,
приведенных
для
монокристаллов
или
массивных
образцов
.
Также
,
в
силу
специфики
работы
достаточно
сложного
по
своей
технической
организации
вакуумного
оборудования
,
для
одних
и
тех
же
исходных
веществ
,
свойства
их
пленок
,
полученных
вакуумным
осаждением
при
,
казалось
бы
,
сходных
условиях
на
разных
установках
,
могут
существенно
отличаться
.
Причиной
этого
могут
быть
,
к
примеру
,
погрешности
при
измерении
таких
технологических
параметров
,
как
остаточное
давление
в
рабочей
камере
,
температура
подложки
,
скорость
осаждения
.
Также
на
свойства
получаемых
покрытий
влияют
и
средства
получения
вакуума
,
так
,
например
,
почти
неизбежно
загрязнение
рабочего
объема
парами
вакуумного
масла
при
использовании
высоковакуумных
паромасляных
насосов
.
Взаимное
расположение
испарителя
и
подложки
,
а
также
угол
поступления
паров
материала
на
поверхность
детали
тоже
оказывают
влияние
на
свойства
получаемых
покрытий
.
При
наклонном
поступлении
паров
конденсирующегося
вещества
имеет
место
эффект
затенения
,
следствием
чего
является
уменьшение
плотности
пленки
,
появление
пор
и
структурных
неоднородностей
в
слое
.
Поэтому
очевидно
,
что
для
успешного
проведения
работ
по
изготовлению
оптических
покрытий
необходимо
составление
базы
данных
по
используемым
пленкообразующим
материалам
,
получаемых
на
данном
конкретном
вакуумном
оборудовании
.
Ниже
на
рис
. 2.23
приведены
основные
характеристики
двадцати
четырёх
пленкообразующих
материалов
.
Все
материалы
,
кроме
радиоактивного
ThF
4
,
апробированы
и
использовались
авторами
учебного
пособия
при
проектировании
и
изготовлении
интерференционных
покрытий
[8].
Наиболее
важной
характеристикой
пленок
является
область
прозрачности
и
показатель
преломления
пленок
в
этой
области
.
Приведенные
на
рис
. 2.23
результаты
относятся
к
пленкам
,
полученным
резистивным
и
электронно
-
лучевым
испарением
в
типичных
условиях
,
т
.
е
.
при
температуре
подложек
порядка
(50-150)
0
С
.
Верхний
предел
температуры
подложек
,
как
правило
,
определяется
температурой
испарения
пленкообразующего
вещества
.
Чем
она
выше
,
тем
выше
можно
нагревать
подложку
во
время
напыления
.
Максимальный
нагрев
подложек
(
до
350
0
С
)
используется
для
получения
плотных
пленок
оксидов
.