Технология материалов и изделий электронной техники. Кротова Г.Д - 70 стр.

                     2.6. Лабораторная работа № 6
                            Фотолитография

      Для изготовления тонкопленочных компонентов микросхем (ее
пассивных    элементов)        металлической      пленке     необходимо     придать
определенный геометрический рельеф. Его можно получить либо методом
маскирования в процессе осаждения, когда пленка наносится только на
избранные участки подложки, либо селективным удалением пленки с
однородно покрытой подложки, оставляющим необходимый рисунок. Для
селективного    травления        в    тонкопленочной         технологии     широко
используется    метод       фотолитографии.       Суть     метода      основана   на
использовании защитной пленки заданной конфигурации, нанесенной на
поверхность металлических или изолирующих пленок, покрывающих всю
поверхность подложки. Защитное (маскирующее) покрытие создается с
помощью полимерных фоточувствительных материалов, называемых
фоторезистами. Их молекулярная структура и растворимость изменяются
при облучении ультрафиолетовым (УФ) светом. Известно большое число
органических соединений с такими свойствами, первыми среди этих
соединений были природные вещества: желатин, сахар, рыбий клей и т.д.
В основном имеются два типа фоторезистов: негативные, они теряют
растворимость в ряде веществ после воздействия света, и позитивные, их
растворимость под воздействием света в определенной среде возрастает. В
позитивном фоторезисте при облучении светом происходит следующее:
  O
               N2                 С    O                 H                   H
                                                            COOH                  COONa
                                      H 2O                 Na 3 PO 4




SO 2 OR              SO 2 OR                  SO 2 OR             SO 2 OR
орто-хинон          инден              инденкарбоновая
 диазид             кетен                    кислота


                                         70