Технология материалов и изделий электронной техники. Кротова Г.Д - 72 стр.

снимается. Проверив качество полученной пленки фоторезиста, ее
подсушивают в следующем режиме:
выдержка в течение 10-15 мин при комнатной температуре;
сушка в сушильном шкафу при температуре 90°С±10°С в течение 20-30
минут.
     Нужно помнить, что в целом режим сушки зависит от типа
используемого фоторезиста и от толщины его слоя.
     Подложка с нанесенным слоем фоторезиста далее подвергается
экспонированию. Оно проводится через фотошаблон или маску. В
условиях учебной лаборатории изготовить фотошаблон сложно, поэтому
пользуются     масками    разной   конфигурации,     изготовленными       из
алюминиевой или медной фольги. Маска накладывается на подложку на
слой фоторезиста, закрепляется в рамке и помещается под УФ осветитель.
Время экспозиции подбирается экспериментально и может изменяться от
нескольких секунд до нескольких минут. Проэкспонированные образцы
подвергаются    химической     обработке    (проявлению),     в    результате
удаляются ненужные участки слоя и на подложке остается защитный
рельеф   требуемой       конфигурации.     Для   проявления       позитивных
фоторезистов применяется КОН (1%), для негативных - трихлорэтилен.
Процесс ведется при комнатной температуре и контролируется визуально.
По окончании проявления подложка промывается в дистиллированной
воде и подвергается сушке. При этом одновременно происходит
закрепление оставшегося фоторезиста на подложке и придание ему
устойчивости к травителям. Процесс этот, называемый задубливанием,
ведется при температуре 150-180°С в течение 30-45мин.
     Затем проводится заключительная операция фотолитографического
процесса - стравливание незащищенных участков металлической пленки в
растворе НС1 (для А1) или HNO3 (для Cu). Оставшуюся пленку
задубленного фоторезиста удаляют либо обработкой ацетоном, либо

                                    72