Технология материалов и изделий электронной техники. Кротова Г.Д - 71 стр.

      Наличие карбонильной группы предопределяет выбор проявителей
для позитивных фоторезистов - это щелочи (NаОН, КОН) или соли
щелочных металлов(Na3PO4). Они переводят кислоту в легкорастворимую
в воде соль.
      При      использовании     негативного         фоторезиста   происходит
фотополимеризация     засвеченных        участков,    а   незасвеченные   легко
удаляются обработкой в органических растворителях.
      Фотолитографический процесс включает следующие основные
операции:
1) формирование слоя фоторезиста;
2) формирование защитного слоя;
3) передача изображения на подложку.
      Целью данной работы является изучение метода фотолитографии с.
проведением всех его основных операций. Формирование рисунка
проводится на металлических пленках (Cu или Al), нанесенных на
стеклянную или ситаловую подложку методами ионно-плазменного или
вакуум-термического испарения.
      Нанесение фоторезиста на металлизированную подложку может
осуществляться     различными     методами:      полив,     окунание,     самым
распространенным является центрифугирование. Этот метод обеспечивает
получение воспроизводимых по толщине пленок. Сама же толщина
зависит от вязкости раствора фоторезиста, скорости вращения и ускорения
центрифуги. На практике при изготовлении тонкопленочных схем толщина
слоев фоторезиста изменяется от 0,3 до 2 мкм. В нашей лаборатории
фоторезист      наносится      методом      центрифугирования.       Подложка
укрепляется на диске центрифуги и накрывается крышкой. После
включения двигателя через отверстие в крышке с помощью пипетки на
вращающуюся подложку наносятся 1-2 капли фоторезиста. Через 10-15 с
центрифуга отключается, и после полной остановки диска подложка

                                     71