Технология материалов и изделий электронной техники. Кротова Г.Д - 73 стр.

плазмохимическим травлением. При выполнении работы по заданию
преподавателя могут быть рассмотрены и дополнительные вопросы,
например, можно оценить толщину пленки фоторезиста в зависимости:
а) от степени разбавления фоторезиста;
б) от количества капель фоторезиста, наносимого на подложку и т.д.


                Определение толщины пленок фоторезиста
      Методы измерения толщины пленок резистов разделяются на
физические и оптические. Наиболее простым и распространенным
физическим методом является профилометрирование. К этой же группе
методов относится емкостной, контроль потенциального рельефа. Из
оптических       методов       наибольшей       точностью        отличаются
эллипсометрические измерения. Широкое применение находит метод
оптической' интерферометрии на базе микроинтерферометров МИИ-4,
МИИ-9. Прозрачность пленок фоторезиста позволяет использовать для
контроля их толщины фотометрирование. На рис.22 представлено
спектральное распределение коэффициента пропускания и оптической
плотности пленки фоторезиста, нанесенной в учебной лаборатории
методом центрифугирования на стеклянную подложку.
      На этих спектрах хорошо видно, что при длине волны до 440 нм
пленки   фоторезиста     являются    поглощающими,   а     при   450-750нм-
прозрачными, и в них наблюдается интерференция. И то, и другое явления
могут быть использованы для определения толщины пленки фоторезиста.
Расчет толщины по интерференционным экстремумам был рассмотрен
выше. Для определения толщины поглощающих слоев может быть
использован закон Бугера-Ламберта-Бера:
      T(λ) = I(λ)/I0 = A(λ)exp(-α(λ)cd),
где I0 - интенсивность света в отсутствие образца;
   I(λ) - интенсивность света, прошедшего через образец;

                                      73