Схемно-алгебраическое моделирование и расчет линейных электрических цепей. Курганов С.А - 126 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

УлГТУ | Ульяновск

Составители: 

Рубрика: 

126
Соответствующая схема замещения изображена на рис. 2.4.3,б, где 1 –
инвертирующий вход; 2 – неинвертирующий вход; 3 – выход; 4 – общий
зажим. Вывод САФ осуществляется в два этапа: сначала по формуле
(1.3.9) выделяется параметр K
ОУ
, затем по формуле (1.3.2) – проводимость
Y
вых
. Окончательная САФ дана в п. 7 табл. 2.4.1.
Низкочастотные биполярные транзисторы характеризуются в
малосигнальном линейном режиме Н-параметрами [2], которые часто
приводятся в справочниках. Схема замещения транзистора, включенного с
общим эмиттером (п. 8 табл. 2.4.1), представлена на рис. 2.4.4,а, где ЭДС
ИНУН E
1
=h
12э
U
2
, функция источника тока, управляемого током (ИТУТ),
J
2
=h
21э
I
1
. Здесь и далее буквенный индекс у символа параметра
транзистора обозначает сокращенно его схему включения, например,
индекс «э» – схему с общим эмиттером. На схемах этими же буквами «э»,
«б», «к» обозначены электроды биполярного транзистора – база, эмиттер,
коллектор. Последовательное выделение параметров ИНУН h
12э
и ИТУТ
h
21э
по формуле (1.3.9), сопротивления h
11э
и проводимости h
22э
по (1.3.1) и
(1.3.2) соответственно с последующей группировкой слагаемых позволяет
получить САФ биполярного транзистора, которая приведена в п. 8 табл.
2.4.1. Нередко используются частные случаи модели, когда некоторые
параметры равны нулю, например h
12э
и h
22э
[2], в этом случае САФ
упрощается – отсутствуют соответствующие слагаемые.
Рис. 2.4.4. Схемы замещения транзисторов c H- и Y-параметрами
Другой распространённой моделью для описания свойств различных
транзисторов является схема с Y-параметрами [48]. Эти параметры
применяются для моделирования биполярных, полевых и составных
транзисторов. Нахождение Y-параметров составных транзисторов по
известным параметрам или схемам замещения отдельных транзисторов
производится методом сложения неопределенных Y-матриц [51].
Аналогично могут моделироваться биполярные транзисторы с
изолированным затвором (БТИЗ) и статические индукционные
транзисторы. Для примера рассмотрим БТИЗ, включенный по схеме с
общим эмиттером (п. 9 табл. 2.4.1). Схема замещения транзистора

Страницы