ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
127
приведена на рис. 2.4.4,б, где J
1
= Y
12э
U
2
и J
2
= Y
21э
U
1
– источники тока,
управляемые напряжением (ИТУН). Электроды БТИЗ – затвор, эмиттер,
коллектор – обозначены первыми буквами их названий. Применение
формул (1.3.9) и (1.3.2) для выделения параметров ИТУН Y
12э
, Y
21э
и
проводимостей Y
11э
, Y
22э
с последующей группировкой слагаемых приводит
к САФ в п. 9 табл. 2.4.1.
Для моделирования транзисторов используются также Z-параметры
[48]. Для примера рассмотрим полевой транзистор, включенный по схеме с
общим истоком (п.10 табл. 2.4.1). Схема замещения транзистора
представлена на рис. 2.4.5,а. Электроды полевого транзистора – затвор,
исток, сток – обозначены первыми буквами их названий. Вывод искомой
САФ осуществляется путём поочерёдного применения формул (1.3.9) и
(1.3.1). Окончательное выражение САФ приведено в п. 10 табл. 2.4.1.
До сих пор нами формировались САФ многополюсников с
сосредоточенными параметрами. Рассмотрим теперь цепи, содержащие
длинные (передающие) линии [48]. Исходная схема, содержащая длинную
линию, дана в п. 11 табл. 2.4.1. Длинная линия (ДЛ) характеризуется
волновым сопротивлением Z
В
, коэффициентом распространения γ и
длиной l. Выделение указанных параметров будем проводить на основе
матрицы [48]
(
)
(
)
( )
( )
=
lch
lsh
lshlch
A
В
В
Z
Z
γ
γ
γ
γ
. (2.4.2)
Рис. 2.4.5. Схемы замещения транзистора с Z-параметрами (а) и длинной линии (б)
Рассмотрим показанную на рис. 2.4.5,б схему замещения ДЛ относительно
её внешних зажимов. Эта схема содержит НУИ, ветвям которого присвоен
номер 1. Токи УИ
(
)
В
Zlsh
U
J
21
⋅
=
γ
и
(
)
2
2
I
с
J
lh
⋅
=
γ
,
ЭДС УИ
(
)
2
1
UlchE
⋅
=
γ
и
(
)
22
I
E
lshZ
B
⋅
=
γ
.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 125
- 126
- 127
- 128
- 129
- …
- следующая ›
- последняя »
