ВУЗ:
Составители:
5
«отражения», то интегральная интенсивность рефлекса I
HKL
,
определяется выражением:
2
2
( ) ( )
M
HKL HKL HKL
I C L F P e A
, (2)
где C – общий для всех линий дифрактограммы множитель, зависящий
от длины волны излучения;
2
HKL
F
- структурный фактор
2 ( )
1
j j j
N
i Hx Ky Lz
HKL j
j
F f e
, (3)
f
j
– атомная амплитуда рассеяния, зависящая от порядкового номера
элемента; x
j
, y
j
, z
j
- координаты базисных атомов; P
HKL
– фактор
повторяемости, учитывающий число эквивалентных плоскостей,
дающих одну и ту же дифракционную линию и зависящий от типа
кристаллической решетки и сорта плоскостей; e
-2M
– температурный
фактор; A(θ) – фактор поглощения, зависящий от исследуемого
вещества, длины волны излучения и метода съемки [Ковба Л.М.,
Трунов В.К. Рентгенофазовый анализ. - М.: Изд-во Моск.ун-та, 1976. -
183 c.].
Интенсивность рефлекса зависит, кроме указанных выше
факторов, от режима работы рентгеновского аппарата: тока через
трубку; напряжения на трубке; размера щелей, режима работы счетчика
квантов рентгеновского излучения, скорости вращения образца и
счетчика, скорости протяжки диаграммной ленты. Наконец,
интенсивность рефлекса определяется количеством данной фазы.
Рентгенограмма. Каждая фаза обладает своей кристаллической
решеткой и характеризуется только ей присущим набором
межплоскостных расстояний d
hkl
,которые определяются по формуле (1),
в этом случае на рентгенограмме присутствуют пики одного вещества
(рис.3а).
0
5000
10000
15000
20000
25000
30000
10
15
20
26
31
36
41
46
52
57
62
67
72
78
83
88
93
98
2theta
I, %
а) б)
Рис. 3. Примеры рентгенограмм нанопорошков: а) меди, б) фуллерена
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 4
- 5
- 6
- 7
- 8
- …
- следующая ›
- последняя »