Порошковая дифрактометрия в материаловедении. Часть II. Кузьмичева Г.М. - 40 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МИРЭА | Москва

Составители: 

Рубрика: 

-79-
Заметим, что мы не рассматриваем возможное образование
текстуры. При безэталонном анализе и при использовании
кристаллического эталона необходим специальный анализ
текстуры. Вопрос о текстуре не встает при использовании
аморфного эталона. Эталон должен иметь тот же состав, что и
исследуемый образец.
При проведении количественного анализа аморфно-
кристаллических веществ без применения эталонов
используются
формулы интенсивности рассеяния
кристаллической фазой (I
крис
) и аморфной (I
аморф)
фазой.
Интенсивность рассеяния кристаллической фазой:
I
крис.
= 9/32[I
0
(S
сч
./R
r
2
)(f
0
2
/
µ) λ
3
I
hkl
η
крис
K
А
K
M
K
Р
K
Т
]
(16 ),
К
А
=2sinβ/(sinα+sinβ); в случае асимметричной съемки на
отражение углы «входа» и «выхода» соответственно α и β
(α+β=2θ), в случае симметричной съемки α=β=θ и К
А
=1,
К
М
–коэффициент, учитывающий влияние на интенсивность
монохроматора (для графитового монохроматора К
М
~0.2,
при отсутствии монохроматора К
М
=1)
К
Р
-коэффициент, учитывающий влияние на интенсивность
рельефа образца (для гладкой поверхности К
р
=1),
К
Т
-коэффициент, учитывающий влияние текстуры (при
отсутствии текстуры К
Т
=1),
-80-
I
0
-интенсивность падающего рентгеновского излучения,
f
0
-амплитуда рассеяния фотона электроном: f
0
=e
2
/mc
2
,
f
0
=2.8×10
-5
Å
µ- коэффициент поглощения фазы (см. «Порошковая
дифрактометрия в материаловедении», ЧАСТЬ I),
λ-длина волны рентгеновского излучения,
η
крис
-объемная доля включений кристаллической фазы,
S
сч
.-площадь приемной щели счетчика, R
r
-радиус
гониометра, I
hkl
–интенсивность рассеянного излучения,
I
hkl
=(LP)
hkl
H |F
hkl
/V
яч
|
2
P-поляризационный фактор (см. формулы 9 или 10),
L-фактор Лоренца: L=1/(sin
2
θcosθ) (8),
H-фактор повторяемости, F
hkl
-структурный фактор (11-13),
V
яч
-объем элементарной ячейки
Интенсивность рассеяния аморфной фазой:
I
аморф.
= I
0
(S
сч
./R
r
2
)(f
0
2
/
µ) P ρ
0
<f
j
2
>A
hkl
η
аморф
K
А
K
M
K
p
(17),
ρ
0
-средняя атомная плотность аморфной фазы или число
атомов в единице объема независимо от сорта атомов,
η
аморф
-объемная доля включений аморфной фазы,
<f
j
2
>-усредненный по химическому составу аморфной фазы
квадрат модуля атомного фактора, включающего
дисперсионные (тепловые) поправки, 
                                 -79-                                                                  -80-
  Заметим, что мы не рассматриваем возможное образование               I0-интенсивность падающего рентгеновского излучения,
текстуры. При безэталонном анализе и при использовании                 f0-амплитуда    рассеяния     фотона     электроном:   f0=e2/mc2,
кристаллического эталона необходим специальный анализ                  f0=2.8×10-5Å
текстуры. Вопрос о текстуре не встает при использовании                µ- коэффициент поглощения фазы (см. «Порошковая
аморфного эталона. Эталон должен иметь тот же состав, что и            дифрактометрия в материаловедении», ЧАСТЬ I),
исследуемый образец.                                                   λ-длина волны рентгеновского излучения,
  При    проведении      количественного       анализа     аморфно-    ηкрис-объемная доля включений кристаллической фазы,
кристаллических      веществ       без    применения       эталонов    Sсч.-площадь     приемной        щели      счетчика,   Rr-радиус
используются        формулы         интенсивности         рассеяния    гониометра, Ihkl –интенсивность рассеянного излучения,
кристаллической фазой (Iкрис) и аморфной (Iаморф) фазой.
                                                                                            Ihkl =(LP)hkl H |Fhkl/Vяч|2
        Интенсивность рассеяния кристаллической фазой:
                                                                       P-поляризационный фактор (см. формулы 9 или 10),
    Iкрис.= 9/32[I0(Sсч./Rr2)(f02/ µ) λ3 Ihkl ηкрис KАKMKРKТ] (16 ),
                                                                       L-фактор Лоренца: L=1/(sin2θcosθ) (8),
  КА=2sinβ/(sinα+sinβ); в случае асимметричной съемки на               H-фактор повторяемости, Fhkl-структурный фактор (11-13),
  отражение углы «входа» и «выхода» соответственно α и β               Vяч-объем элементарной ячейки
  (α+β=2θ), в случае симметричной съемки α=β=θ и КА=1,                           Интенсивность рассеяния аморфной фазой:
  КМ –коэффициент, учитывающий влияние на интенсивность                 Iаморф.= I0(Sсч./Rr2)(f02/ µ) P ρ0Ahkl ηаморф KАKMKp (17),
  монохроматора (для графитового монохроматора КМ~0.2,                 ρ0-средняя атомная плотность аморфной фазы или число
  при отсутствии монохроматора КМ=1)                                   атомов в единице объема независимо от сорта атомов,
  КР-коэффициент, учитывающий влияние на интенсивность
                                                                       ηаморф-объемная доля включений аморфной фазы,
  рельефа образца (для гладкой поверхности Кр=1),
                                                                       -усредненный по химическому составу аморфной фазы
  КТ-коэффициент, учитывающий влияние текстуры (при
                                                                       квадрат     модуля      атомного        фактора,   включающего
  отсутствии текстуры КТ=1),
                                                                       дисперсионные (тепловые) поправки,

Страницы