Структурная обусловленность свойств. Часть IV. Кристаллохимия материалов нелинейной оптики. Кристаллохимия пьезоэлектриков. Кузьмичева Г.М. - 16 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МИРЭА | Москва

Составители: 

Рубрика: 

31
однородных по химическому составу. Она не имеет решения en
principio из-за существования в области температур кристаллизации
расплава твердого раствора (0 x 1) двух фаз – жидкой и твердой
с разными химическими составами. Поэтому на практике для
повышения оптической однородности выращиваемых образцов
пытаются разными способами уменьшить неоднородность по
химическому составу.
Кристаллы твердых растворов системы AgGa
1-x
In
x
Se
2
AgGa
1-
x
In
x
Se
2
в диапазоне составов x от 0.27 до 0.375 (по шихте)
выращивали по методу Бриджмена-Стокбаргера.
Фазы состава AgGa
1-x
In
x
Se
2
образуют изоструктурный ряд типа
CuFeS
2
(халькопирит) во всем интервале составов. Структура типа
халькопирита (пр. гр. I-42d) (рис. 13а) представляет собой
сверхструктуру по отношению к структуре типа ZnS (сфалерит)
(рис. 13б), в которой атомы Cu и Fe упорядоченно (в шахматном
порядке) распределяются по позициям Zn.
Рис.13. Кристаллическая структура халькопирита (а) и
сфалерита (б)
32
Все атомы тетраэдрически координированы. В структуре
AgGa
1-x
In
x
Se
2
типа CuFeS
2
атомы Ag
1+
занимают позицию Cu
1+
, а
атомы In
3+
и Ga
3+
статистически размещены по позициям Fe
3+
(рис.
13а).
На рис. 14 представлены зависимости параметров элементарной
ячейки a (рис. 14а) и c (рис.14б) твердых растворов AgGa
1-x
In
x
Se
2
от содержания In (величина x), построенные по литературным
данным, из которых следует прямолинейная связь между
содержанием In и параметром элементарной ячейки c (рис.14б) и
отрицательное отклонение от аддитивности для a = f(x) (рис. 14а).
Рис. 14. Зависимость параметров элементарной ячейки a (а) и
с (б) от состава твердого раствора AgGa
1-x
In
x
Se
2
Объектами исследования были монокристаллические твердые
растворы AgGa
1-x
In
x
Se
2
с исходными составами шихты x=0.375 –
1М, x=0.355 - 2M и x=0.27 - 3M. Применение данных зависимостей 
                                 31                                                            32
однородных по химическому составу. Она не имеет решения en            Все атомы тетраэдрически координированы. В структуре
principio из-за существования в области температур кристаллизации   AgGa1-xInxSe2 типа CuFeS2 атомы Ag1+ занимают позицию Cu1+, а
расплава твердого раствора (0 x 1) двух фаз – жидкой и твердой      атомы In3+ и Ga3+ статистически размещены по позициям Fe3+ (рис.
с разными химическими составами. Поэтому на практике для            13а).
повышения оптической однородности выращиваемых образцов                На рис. 14 представлены зависимости параметров элементарной
пытаются разными способами уменьшить неоднородность по              ячейки a (рис. 14а) и c (рис.14б) твердых растворов AgGa1-xInxSe2
химическому составу.                                                от содержания In (величина x), построенные по литературным
   Кристаллы твердых растворов системы AgGa1-xInxSe2 AgGa1-         данным, из которых следует прямолинейная связь между
xInxSe2 в диапазоне составов x от 0.27 до 0.375 (по шихте)          содержанием In и параметром элементарной ячейки c (рис.14б) и
выращивали по методу Бриджмена-Стокбаргера.                         отрицательное отклонение от аддитивности для a = f(x) (рис. 14а).
   Фазы состава AgGa1-xInxSe2 образуют изоструктурный ряд типа
CuFeS2 (халькопирит) во всем интервале составов. Структура типа
халькопирита (пр. гр. I-42d) (рис. 13а) представляет собой
сверхструктуру по отношению к структуре типа ZnS (сфалерит)
(рис. 13б), в которой атомы Cu и Fe упорядоченно (в шахматном
порядке) распределяются по позициям Zn.




                                                                    Рис. 14. Зависимость параметров элементарной ячейки a (а) и
                                                                           с (б) от состава твердого раствора AgGa1-xInxSe2

                                                                       Объектами исследования были монокристаллические твердые
    Рис.13. Кристаллическая структура халькопирита (а) и            растворы AgGa1-xInxSe2 с исходными составами шихты x=0.375 –
                       сфалерита (б)                                1М, x=0.355 - 2M и x=0.27 - 3M. Применение данных зависимостей

Страницы