Структурная обусловленность свойств. Часть IV. Кристаллохимия материалов нелинейной оптики. Кристаллохимия пьезоэлектриков. Кузьмичева Г.М. - 22 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МИРЭА | Москва

Составители: 

Рубрика: 

43
Нецентросимметричные кристаллы, а именно к ним относится
лангасит, проявляют ряд специфических свойств, в частности,
являются полярными и обладают оптической активностью.
Оптическая активность - способность некоторых веществ,
называемых оптически активными, вызывать поворот плоскости
поляризации проходящего через них монохроматического
плоскополяризованного света. Оптическая активность кристаллов
характеризуется псевдотензором второго ранга, поэтому ее
проявляют лишь кристаллы нецентросимметричных классов.
Кристаллы энантиоморфных классов симметрии (1, 2, 3, 4, 6, 222,
32, 422, 622, 23, 432) могут существовать в двух модификациях
(правые и левые), и соответственно оптическая активность в таких
кристаллах характеризуется противоположными знаками. В
одноосных кристаллах средней категории (тетрагональная,
гексагональная и тригональная сингонии) вращение плоскости
поляризации возможно вдоль направления их единственной
оптической оси.
В связи с тем, что кристаллы семейства лангасита имеют
точечную группу симметрии 32, то они могут существовать в двух
формах: правой (рис. 17а) и левой – (рис. 17б).
а.
44
б.
Рис. 17. Правая (а) и левая (б) формы лангасита.
Существование правой и левой формы было подтверждено при
уточнении кристаллических структур фаз с общими составами
LaGa
4
(GaSi)O
14
, La
3
Ga
4
[Ga(Si,Ge)]O
14
и La
3
Nb
0.5
Ga
5.5
O
14
. Так,
рентгеноструктурное иследование верха и низа кристалла,
полученного из расплава La
3
Nb
0.5
Ga
5.5
O
14
показало, что уточненные
составы отдельных частей верха и низа кристалла соответственно
равны La
3
(Ga
0.47(1)
Nb
0.53(1)
)Ga
5
O
14
и La
3
(Ga
0.48(1)
Nb
0.52(1)
)Ga
5
O
14
. При
этом структура верха кристалла имела правую форму (рис. 17а), а
структура низа кристалла – левую форму (рис. 17б).
Cклонность к дефектообразованию
Два варианта структурных моделей (рис. 17) отвечают двум
возможным индивидам, которые могут двойниковаться, тогда
двойникующим элементом является вертикальная плоскость m ,
совпадающая с одной из a (b, u) – осей. Симметрия такого
двойника должна быть 3 m . 
                                 43                                                                  44
   Нецентросимметричные кристаллы, а именно к ним относится
лангасит, проявляют ряд специфических свойств, в частности,
являются полярными и обладают оптической активностью.
Оптическая активность - способность некоторых веществ,
называемых оптически активными, вызывать поворот плоскости
поляризации проходящего через них монохроматического
плоскополяризованного света. Оптическая активность кристаллов
характеризуется псевдотензором второго ранга, поэтому ее
проявляют лишь кристаллы нецентросимметричных классов.
Кристаллы энантиоморфных классов симметрии (1, 2, 3, 4, 6, 222,
32, 422, 622, 23, 432) могут существовать в двух модификациях
(правые и левые), и соответственно оптическая активность в таких
кристаллах характеризуется противоположными знаками. В
одноосных кристаллах средней категории (тетрагональная,                                              б.
гексагональная и тригональная сингонии) вращение плоскости
поляризации возможно вдоль направления их единственной                     Рис. 17. Правая (а) и левая (б) формы лангасита.
оптической оси.
   В связи с тем, что кристаллы семейства лангасита имеют             Существование правой и левой формы было подтверждено при
точечную группу симметрии 32, то они могут существовать в двух     уточнении кристаллических структур фаз с общими составами
формах: правой (рис. 17а) и левой – (рис. 17б).                    LaGa4(GaSi)O14, La3Ga4[Ga(Si,Ge)]O14 и La3Nb0.5Ga5.5O14. Так,
                                                                   рентгеноструктурное иследование верха и низа кристалла,
                                                                   полученного из расплава La3Nb0.5Ga5.5O14 показало, что уточненные
                                                                   составы отдельных частей верха и низа кристалла соответственно
                                                                   равны La3(Ga0.47(1)Nb0.53(1))Ga5O14 и La3(Ga0.48(1)Nb0.52(1))Ga5O14. При
                                                                   этом структура верха кристалла имела правую форму (рис. 17а), а
                                                                   структура низа кристалла – левую форму (рис. 17б).

                                                                                  Cклонность к дефектообразованию

                                                                      Два варианта структурных моделей (рис. 17) отвечают двум
                                                                   возможным индивидам, которые могут двойниковаться, тогда
                                                                   двойникующим элементом является вертикальная плоскость m ,
                                                                   совпадающая с одной из a (b, u) – осей. Симметрия такого
                               а.                                  двойника должна быть 3 m .

Страницы