Структурная обусловленность свойств. Часть IV. Кристаллохимия материалов нелинейной оптики. Кристаллохимия пьезоэлектриков. Кузьмичева Г.М. - 6 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

МИРЭА | Москва

Составители: 

Рубрика: 

11
ячейки (а
hex
, c
hex
) структуры хантита следующими
соотношениями: А
'
=c
hex
, B'=а
hex
, С'=2а
hex
cos30 . Твердый
раствор состава (Ce
0.70
Gd
0.30
)Sc
3
(BO
3
)
4
кристаллизуется в структуре
пр. гр. P321 с параметрами элементарной ячейки a=a
hex
, c=c
hex
.
Возможно, SmSc
3
(BO
3
)
4
является последним соединением в этом
ряду, имеющим сверхструктуру A=2a
hex
, C=2c
hex
, а уже у
GdSc
3
(BO
3
)
4
сверхструктура отсутствует.
На рис. 4 представлен переход от структуры типа хантита (пр.
гр. R32, параметры ячейки a
hex
, c
hex
), представленной в виде
проекции на плоскость 1010, к производным структурам семейства
хантита:
пр. гр. P321 (параметры ячейки a'
hex
= a
hex
, c'
hex
=c
hex
),
пр. гр. P321 или P32 (сверхструктура, параметры ячейки
А=2a
hex
, С=2c
hex
),
пр. гр. C2/c (параметры ячейки
a'
mon
=0.666 c
2
hex
+0.75b
2
hex
,
b'
mon
=b
hex
,
c'
mon
=0.666 4c
2
hex
+0.75b
2
hex
),
пр. гр. С2 (параметры ячейки
a"
mon
=0.666 c
2
hex
+0.75b
2
hex
,
b"
mon
=b
hex
,
c"
mon
= 2.778c
2
hex
+1.778b
2
hex
cos
2
30 ),
пр.гр. А2 (параметры ячейки А'=c
hex
, B'=b
hex
,
С'=2а
hex
cos30 , ~90 ).
12
<0001>
<10-10>
Ln
M=Al, Ga, Sc
C’mon=Ahexcos30=2ahexcos30
O
ahexcos30
chex
c’mon
c”mon
A’mon
=
Chex
=
2chex
Рис. 4. Переход от структуры типа хантита к производным
структурам семейства хантита
Cуществующая связь между хантитоподобными структурами
позволяет предложить два пути образования этих структур:
I. R32 C2/c C2 P1. II. R32 P321 P3 P1
P1 A2
Первый путь предполагает, в основном, перестройку структуры
хантита, а второй - ее разупорядочение.
При рассмотренных выше переходах, обусловленных либо
физико-химическими условиями (температура и давление), либо
изменением состава соединения, должна измениться прежде всего
симметрия В-полиэдров, как наиболее "жестких" фрагментов
структуры, контролирующих ее устойчивость (симметрия позиций 
                                   11                                                                      12
ячейки    (аhex,   chex)      структуры     хантита    следующими
                                                                                                         <0001>
соотношениями: А'=chex, B'=аhex, С'=2аhexcos30 . Твердый
раствор состава (Ce0.70Gd0.30)Sc3(BO3)4 кристаллизуется в структуре
пр. гр. P321 с параметрами элементарной ячейки a=ahex, c=chex.
Возможно, SmSc3(BO3)4 является последним соединением в этом
ряду, имеющим сверхструктуру A=2ahex, C=2chex, а уже у
                                                                                   A’mon
GdSc3(BO3)4 сверхструктура отсутствует.                                              =
                                                                                   Chex     c”mon        c’mon
   На рис. 4 представлен переход от структуры типа хантита (пр.
                                                                                                                     chex
                                                                                     =
                                                                                   2chex
гр. R32, параметры ячейки ahex, chex), представленной в виде
проекции на плоскость 1010, к производным структурам семейства
хантита:                                                                                                                       a’mon=a”mon

                                                                                  <10-10>

 пр. гр. P321 (параметры ячейки a'hex= ahex, c'hex=chex),                                                                   ahexcos30
                                                                                                     C’mon=Ahexcos30=2ahexcos30
 пр. гр. P321 или P32 (сверхструктура, параметры ячейки                                             Ln      M=Al, Ga, Sc            O

                      А=2ahex, С=2chex),
               пр. гр. C2/c (параметры ячейки                          Рис. 4. Переход от структуры типа хантита к производным
                a'mon=0.666 c2hex+0.75b2hex,                                         структурам семейства хантита
                         b'mon=bhex,                                     Cуществующая связь между хантитоподобными структурами
               c'mon=0.666 4c2hex+0.75b2hex),                         позволяет предложить два пути образования этих структур:
                  пр. гр. С2 (параметры ячейки
                                                                        I. R32   C2/c C2 P1.                     II. R32         P321 P3     P1
                  a"mon=0.666 c2hex+0.75b2hex,
                           b"mon=bhex,                                            P1                                            A2
             c"mon= 2.778c2hex+1.778b2hexcos230 ),
                                                                         Первый путь предполагает, в основном, перестройку структуры
         пр.гр. А2 (параметры ячейки А'=chex, B'=bhex,                хантита, а второй - ее разупорядочение.
                      С'=2аhexcos30 , ~90 ).                             При рассмотренных выше переходах, обусловленных либо
                                                                      физико-химическими условиями (температура и давление), либо
                                                                      изменением состава соединения, должна измениться прежде всего
                                                                      симметрия В-полиэдров, как наиболее "жестких" фрагментов
                                                                      структуры, контролирующих ее устойчивость (симметрия позиций

Страницы