Электроника. Лабунский Л.С. - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СамГУПС | Самара

Составители: 

Рубрика: 

10
Порядок выполнения работы
1. Ознакомиться с принципиальной схемой исследования статических
характеристик транзистора, представленной на рис.3.1. и собранной в сменном
блоке СБ-1. Она содержит два генератора тока для установки тока эмиттера в
схеме ОБ (Г1) и для установки тока базы в схеме ОЭ (Г2), величина этих токов
может меняться с помощью
регулировки ±Е3.
2. Скоммутировать цепи таким образом, чтобы транзистор VТ1 оказался
включенным по схеме ОБ. При этом коллектор транзистора VТ1 подключается к
источнику -Е1 через миллиамперметр А2 переключателями П4 и П7 (расположен
на сменном блоке), а эмиттер к генератору тока через миллиамперметр А1
переключателями П1 и П2. База транзистора соединена с
общим проводом
переключателем П2. Для измерения напряжения между коллектором и базой
необходимо подключить вольтметр V5 к исследуемой схеме, поставив
переключатель "РЕЖИМ" в положение fд. Напряжение между эмиттером и базой
измеряется вольтметром V3.
3. Включить стенд СТЭЛ-2 и снять семейство входных характеристик
транзистора в схеме ОБ Iэ = f(Uэб)/ Uкб = соnst. (Uкб=0В, Uкб=5
В, Uкб=10В).
Предел измерения миллиамперметра А1 = 10 мА, вольтметра V3 = 1В.
Результаты измерений занести в таблицу 3.1.
Таблица 3.1
Uкб Uэб
Iэ
Uкб Uэб
Iэ
Uкб Uэб
Iэ
4. Снять семейство выходных характеристик транзистора в схеме ОБ Iк = f(Uкб)/
Iэ = соnst. (Iэ=2мА, Iэ=4мА, Iэ=6мА, Iэ=8мА). Предел измерения миллиамперметра
А2 = 20мА. Результаты измерения занести в таблицу 3.2.
Таблица 3.2
Iэ Uкб
Iк
Iэ Uкб
Iк
Iэ Uкб
Iк
Iэ Uкб
Iк
5. Построить графики входных и выходных характеристик в схеме ОБ.

Страницы