Электроника. Лабунский Л.С. - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СамГУПС | Самара

Составители: 

Рубрика: 

11
6. Скоммутировать цепи таким образом, чтобы транзистор VТ1 оказался
включенным по схеме ОЭ. Для этого надо переключить П1 и П2 в
противоположное положение.
7. Снять семейство входных характеристик транзистора в схеме ОЭ
Iб=(Uбэ)/Uкэ=соnst. (Uкэ=0В, Uкэ=5В, Uкэ=10В). Предел измерения
миллиамперметра А1 = 0,5 мА. Результаты измерений занести в
таблицу 3.3.
При снятии характеристик учитывать влияние вольтметра V3, предел измерения
которого = 1В.
Таблица 3.3
Uкэ Uбэ
I
А1
Iут
V3
Iб
Uкэ Uбэ
I
А1
Iут
V3
Iб
Uкэ Uбэ
I
А1
Iут
V3
Iб
8. Снять семейство выходных характеристик транзистора в схеме ОЭ
Iк=f(Uкэ)/Iб=соnst (Iб=50мкА, Iб=100мкА, Iб=200мкА, Iб=300мкА). Результаты
измерений занести в таблицу 3.4.
Таблица 3.4
Iб Uкэ
Iк
Iб Uкэ
Iк
Iб Uкэ
Iк
Iб Uкэ
Iк
9. Построить графики входных и выходных характеристик ОЭ.
Содержание отчета
- принципиальная схема исследования статических характеристик
транзистора;
- таблицы результатов измерений;
- графики статических характеристик.
Контрольные вопросы
1. Охарактеризуйте состояние переходов база-эмиттер и база-коллектор
транзистора (открытое или закрытое) при нормальном активном режиме работы.
2. Как с помощью статических характеристик определить коэффициенты
передачи
тока транзистора и его входное и выходное сопротивление?

Страницы