Электроника. Лабунский Л.С. - 9 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

СамГУПС | Самара

Составители: 

Рубрика: 

9
ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА N3
Исследование статических характеристик биполярного транзистора
Цель работы: исследовать статические входные и выходные
характеристики биполярного транзистора в схемах с ОБ и ОЭ.
Теоретические сведения
Биполярным транзистором называется полупроводниковый прибор с двумя
взаимодействующими переходами, работа которого обусловлена движением
носителей зарядов двух типов - электронами и дырками. Переходы делят
структуру транзистора на
три области с чередующимися типами проводимости.
Внешние области называют эмиттером и коллектором, а внутреннюю - базой.
Статические характеристики представляют собой зависимости между
токами в транзисторе и напряжениями на его электродах при отсутствии
резисторов в цепях эмиттера, базы и коллектора. Различают два основных типа
статических характеристик: входные Iвх = f(Uвх) при Uвых
= соnst; выходные Iвых =
f(Uвых) при Iвх = соnst.
Статические характеристики зависят от схем включения транзистора. В
справочной литературе обычно приводятся типовые семейства входных и
выходных статических характеристик транзисторов для схемы ОЭ. По входным
характеристикам можно определить входное сопротивление транзистора в
режиме малого сигнала, а по выходным - выходное сопротивление, а также
провести графический анализ работы транзистора в практических схемах.
±
Е3
Г1
Г2
220
4,3 к
А1
А2
V3
V5
П1
П2
П3
П7
П4
РЕЖИМ f
Д
2
VT1
16
510
510
К8
К5
Рис. 3.1. Принципиальная схема для исследования статических характеристик
транзистора

Страницы