Основы микропроцессорной техники. Ливенцов С.Н - 67 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

67
4.1. Основные характеристики полупроводниковой памяти
Полупроводниковая память имеет большое число характеристик и
параметров, которые необходимо учитывать при проектировании сис-
тем [2, 5, 6, 9]:
1. Емкость памяти определяется числом бит хранимой информа-
ции. Емкость кристалла обычно выражается также в битах и составля-
ет: 1024 бита, 4 кбит, 16 кбит, 64 кбит и т. п. Важной характеристикой
кристалла является информационная организация кристалла памяти
MxN, где M – число слов, N – разрядность слова. Например, кристалл
емкостью 16 кбит может иметь различную организацию: 16 кбит x 1,
4 кбит x 4, 2 кбит x 8. При одинаковом времени обращения память с
большей шириной выборки обладает большей информационной емко-
стью.
2. Временные характеристики памяти.
Время доступа – временной интервал, определяемый от момента,
когда центральный процессор выставил на шину адреса адрес требуе-
мой ячейки памяти и послал по шине управления приказ на чтение или
запись данных, до момента осуществления связи адресуемой ячейки с
шиной данных.
Время восстановления – это время, необходимое для приведения
памяти в исходное состояние после того, как ЦП снял с ША – адрес, с
ШУ – сигнал "чтение" или "запись" и с ШД – данные.
3. Удельная стоимость запоминающего устройства определяется
отношением его стоимости к информационной емкости, т. е. определя-
ется стоимостью бита хранимой информации.
4. Потребляемая энергия (или рассеиваемая мощность) приводится
для двух режимов работы кристалла: режима пассивного хранения ин-
формации и активного режима, когда операции записи и считывания
выполняются с номинальным быстродействием. Кристаллы динамиче-
ской МОП-памяти в резервном режиме потребляют примерно в десять
раз меньше энергии, чем в активном режиме. Наибольшее потребление
энергии, не зависящее от режима работы, характерно для кристаллов
биполярной памяти.
5. Плотность упаковки определяется площадью запоминающего
элемента и зависит от числа транзисторов в схеме элемента и исполь-
зуемой технологии. Наибольшая плотность упаковки достигнута в кри-
сталлах динамической МОП-памяти.
6. Допустимая температура окружающей среды обычно указыва-
ется отдельно для активной работы, для пассивного хранения инфор-
мации и для нерабочего состояния с отключенным питанием.

Страницы