Основы микропроцессорной техники. Ливенцов С.Н - 69 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

69
Это позволяет в сильном электрическом поле инжектировать электро-
ны в плавающий затвор:
или сквозь потенциальный барьер Si-SiO
2
путем квантовомехани-
ческого туннелирования;
или над барьером "горячих" носителей, разогретых в поперечном
или продольном поле при пробое кремниевой подложки.
Положительное смещение на верхнем затворе (относительно по-
лупроводниковой подложки) вызовет накопление электронов в пла-
вающем затворе при условии, что утечка электронов через верхний ди-
электрический слой мала. Величина заряда Q, накопленного за время t,
а значит и пороговое напряжение, определяется как
()Q J t dt
, (5)
где
()Jt
– величина инжекционного тока в момент времени
t
.
Лавинный пробой подложки вблизи стока может приводить к не-
однородной деградации транзистора и, как следствие, к ограничению
по числу переключений элемента памяти. МДП-транзистор с плаваю-
щим затвором (рис. 15) может быть использован в качестве элемента
памяти с временем хранения, равным времени диэлектрической релак-
сации структуры, которое может быть очень велико и, в основном, оп-
ределяется низкими токами утечки через барьер Si–SiO2 (Фe = 3.2 эВ).
Fe – высота потенциального барьера. Такой элемент памяти обеспечи-
вает возможность непрерывного считывания без разрушения информа-
ции, причем запись и считывание могут быть выполнены в очень ко-
роткое время.
4.2.2.
Рис. 15. Инжекция горячих электронов в диэлектрик МДП-транзистора
и другие процессы, проходящие при лавинном пробое подложки

Страницы