Основы микропроцессорной техники. Ливенцов С.Н - 70 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

МНОП-транзистор

На рис. 16 приведена конструкция МНОП-транзистора (металл –

нитрид кремния – оксид кремния – полупроводник). Эффект памяти

основан на изменении порогового напряжения транзистора при нали-

чии захваченного в подзатворном диэлектрике положительного или

отрицательного заряда, который хранится на глубоких (1.3–1.5 эВ) ло-

вушках в нитриде кремния вблизи границы SiO

–Si

Запись информационного заряда (см. рис. 17) происходит так же,

как и в МОП-транзисторе с плавающим затвором. Высокая эффектив-

ность захвата электронов (или дырок) связана с большим сечением за-

хвата на ловушки (порядка 10–13 см

) и с большой их концентрацией

(порядка 1019 см

Рис. 16. Конструкция МНОП-транзистора:

1 – металлический затвор; 2,3 – области истока и

стока, соответственно; 4 – подложка

Рис. 17. Операция записи в МНОП-структуре

(зонная диаграмма)