Основы микропроцессорной техники. Ливенцов С.Н - 71 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

71
Ток в окисле
ox
J
– туннельный ток инжекции, ток
N
J
– ток сквоз-
ной проводимости в нитриде. В случае прямого туннелирования элек-
тронов в зону проводимости SiO
2
сквозь треугольный барьер плотность
тока определяется уравнением Фаулера–Нордгейма:
2
exp
o
ox
E
J AE
E



, (6)
где
A
– константы,
E
– напряженность электрического поля. По мере
накопления заряда поле на контакте уменьшается, что приводит к
уменьшению скорости записи. Эффективность записи зависит также и
от тока сквозной проводимости в нитриде.
Стирание информации (возврат структуры в исходное состояние)
может осуществляться:
ультрафиолетовым излучением с энергией квантов более 5.1 эВ
(ширина запрещенной зоны нитрида кремния) через кварцевое окно;
подачей на структуру импульса напряжения, противоположного
по знаку записывающему.
В соответствии с ГОСТом, такие ИМС имеют в своем названии
литеры РФ и РР, соответственно. Время хранения информации в
МНОП-транзисторе обусловлено термической эмиссией с глубоких ло-
вушек и составляет порядка 10 лет в нормальных условиях. Основны-
ми факторами, влияющими на запись и хранение заряда, являются
электрическое поле, температура и радиация. Количество электриче-
ских циклов запись-стирание обычно не менее 10
5
.
4.3. Оперативные запоминающие устройства
Полупроводниковые запоминающие устройства подразделяются
на ЗУ с произвольной выборкой и ЗУ с последовательным доступом.
ЗУПВ подразделяются на [5, 6, 9]:
статические оперативные запоминающие устройства (СОЗУ);
динамические оперативные запоминающие устройства (ДОЗУ).
ЗУ с последовательным доступом подразделяются на:
регистры сдвига;
приборы с зарядовой связью (ПЗС).
В основе большинства современных ОЗУ лежат комплиментарные
МОП (КМОП) ИМС, которые отличаются малой потребляемой мощ-
ностью. Это достигается применением пары МОП-транзисторов с раз-
ным типом канала: n-МОП и p-МОП. Как видно на рис. 18, в КМОП-
инверторе как при низком, так и при высоком уровне сигнала на входе

Страницы