Основы микропроцессорной техники. Ливенцов С.Н - 68 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Указывается тип корпуса, если он стандартный, или чертеж корпу-

са с указанием всех размеров, маркировкой и нумерацией контактов,

если корпус новый. Приводятся также условия эксплуатации: рабочее

положение, механические воздействия, допустимая влажность и др.

4.2. Постоянные запоминающие устройства

Программируемые постоянные запоминающие устройства (ППЗУ)

делятся на однократно программируемые (например, биполярные ПЗУ

с плавкими соединениями) и рассматриваемые здесь многократно

электрически программируемые МОП ПЗУ. Это полевой транзистор с

плавающим затвором и МДОП-транзистор (металл–диэлектрик–оксид–

полупроводник). Обычно в качестве диэлектрика используют нитрид

кремния [2, 5, 6, 9].

4.2.1. Полевой транзистор с плавающим затвором

Конструкция и обозначение полевого транзистора с плавающим

затвором представлены на рис. 14.

Это р-канальный нормально закрытый МОП-прибор. Здесь же по-

казаны вольт-амперные характеристики (ВАХ) транзистора в состоя-

нии логических единицы и нуля (до и после записи информационного

заряда). Плавающий затвор представляет собой область поликремния,

окруженную со всех сторон диэлектриком, т. е. он электрически не

связан с другими электродами и его потенциал "плавает". Обычно

толщина нижнего диэлектрического слоя составляет десятки ангстрем.

Рис. 14. МОП-транзистор с плавающим затвором