Математический синтез оптических наноструктур. Ловецкий К.П - 62 стр.

UptoLike

Рубрика: 

62
Подставляя эти выражения в выражение (2.26) для поля в
модулированной области при расстройках
n
, имеем
2
( 1) sin cos
2
cos 1 sin exp
2 2 2
{
}
n
X пад
KL z K
E A iq n z
nL
z KL KL z Kz
n i q q n i
L n n L
(2.33)
Первое слагаемое в фигурных скобках (2.33) представляет собой
стоячую волну, амплитуда которой изменяется вдоль z по гармоническому
закону. При этом амплитуда стоячей волны равна нулю на краях зеркала.
Второе слагаемое описывает бегущую волну с амплитудой, медленно
меняющейся вдоль z. Из приведенного выражения видно, что в пучностях
стоячей волны амплитуда поля в модулированной области всегда
превышает амплитуду падающей волны. Особенно четко это заметно при
KL
q
n
>>1. В этом случае максимум амплитуды бегущей волны
приблизительно равен амплитуде падающей волны, а пучности стоячей
волны в
KL
q
n
раз больше. Это соответствует значительной запасенной
энергии внутри модулированной среды. При этом запасенная энергия при
n = 1 оказывается наибольшей. Значительное накопление энергии в
модулированной области при
n
позволяет рассматривать значения
n
как резонансные, а участок модулированной среды как проходной
резонатор. В точках резонанса
n
коэффициент пропускания такого
резонатора, как и любого другого проходного резонатора без потерь, равен
единице.