Математическое моделирование и методы расчета оптических наноструктур. Ловецкий К.П - 91 стр.

UptoLike

91
морфологию, качество кристаллов, химический состав, электрическую
проводимость. Она широко применяется для определения толщин
однослойных и многослойных тонкопленочных покрытий толщиной от
нескольких ангстрем до нескольких микрон с очень высокой точностью.
Название «эллипсометрия» эта методика получила потому, что
наиболее распространенное состояние поляризации света является
эллиптическим. Эллипсометрия известна более века (возникла в конце
позапрошлого века, связана с именами Друде и Рэлея) и активно
используется по сей день. Она становится все более популярным
инструментом исследований в биологии и медицине. И именно в этих
областях знаний появляются новые оптические задачи, такие, как
исследование нестабильных поверхностей жидкости, требующие
дальнейшего развития поляриметрии и эллипсометрии.
Эллипсометрия позволяет измерить изменение поляризации света
при отражении от образца или при прохождении сквозь тестируемый
образец. Это изменение характеризуется двумя параметрами – отношением
амплитуд
и разностью фаз
. Измеренные параметры зависят от
оптических свойств плоскопараллельного слоя и его толщины. Таким
образом, эллипсометрия в первую очередь нацелена на определение
толщины тонкой пленки и ее оптических свойств. Однако
эллипсометрические измерения позволяют также описывать структуру,
шероховатость поверхности, наличие инородных вкраплений и других
параметров материала, которые влияют на его оптические свойства.
Свет представляет собой распространяющуюся в пространстве
электромагнитную волну. С точки зрения эллипсометрии естественным
является изучение поляризации света его поведения в зависимости от
пространственных и временных координат. Вектор электрического поля
волны света всегда ортогонально направлению распространения.
Следовательно, свет, распространяющийся вдоль оси
z
, может быть