Математическое моделирование в микроэлектронике. Ч.1. Лукьяненко Е.Б. - 12 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

12
В схеме использованы следующие обозначения:
Iэ
1
– ток эмиттера при активном режиме работы;
Iк
1
– ток коллектора при инверсном режиме работы;
Iэ
2
, Iк
2
– отражают токи через обратно-смещенные p-n-переходы;
Iэ
1
/B
N
и Iк/B
I
– токи базы при активном и инверсном режиме работы.
Эффекты, возникающие в транзисторе, учитываются введением заряда
базы:
Qб =Qбо + Qэ + Qк - bt
N
I
N
- t
I
I
I
,
Где Qбо – заряд базы при нулевом смещении,
Qэ и Qк – пространственный заряд эмиттерных и коллекторных переходов,
bt
N
I
N
и t
I
I
I
– заряды, накопленные в базе и обусловленные инжекцией
носителей через эмиттерные и коллекторные переходы.
Далее рассчитывается коэффициент l по формуле:
l = Qб/ Qбо.
Биполярный транзистор в программе PSpice выбирается или из
библиотеки, или записывается в виде модели. Запись транзистора из
библиотеки:
.LIB C:\PSPICE\LIB\QNOM.LIB
Запись транзистора, представляемого в виде модели:
Q1 1 2 0 KT
.MODEL KT NPN (IS= VAF= BF= BR= CJC= CJE= TR=
+ TF= RC= RB= )
где IS – ток насыщения (по умолчанию 10Е-14 А);
VAF – напряжение Эрли (по умолчанию 100 В);
BF – максимальный коэффициент усиления в схеме с общим эмиттером;
BR – максимальный коэффициент усиления в инверсном режиме;
CJC – емкость коллектор-база при нулевом смещении;
CJE – емкость эмиттер-база при нулевом смещении;
TR – время переноса заряда в инверсном режиме (рассчитывается, исходя
из времени рассасывания);
TF – время переноса носителей через базу в нормальном режиме
(рассчитывается, исходя из граничной частоты);
RC – сопротивление области коллектора;
RB – сопротивление области базы.
Пример:
.MODEL KT NPN (IS=10E-14A BF=549 BR=2.54 CJC=0.189PF
CJE=0.275PF TR=64.6NS TF 27.6PS RC=19 RB=39)
Кроме указанных, модели характеризуются еще рядом параметров:
XTI – температурный коэффициент тока насыщения;
EG – ширина запрещенной зоны;
NE – коэффициент неидеальности эмиттерного перехода;
ISE – обратный ток эмиттерного перехода;

Страницы