Математическое моделирование в микроэлектронике. Ч.1. Лукьяненко Е.Б. - 11 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

11
÷
÷
÷
ø
ö
ç
ç
ç
è
æ
--
÷
÷
÷
ø
ö
ç
ç
ç
è
æ
-= 11
T
K
T
Э
U
коI
U
эоэ
еIеII
jj
a
÷
÷
÷
ø
ö
ç
ç
ç
è
æ
--
÷
÷
÷
ø
ö
ç
ç
ç
è
æ
-= 11
T
K
Т
Э
U
ко
U
эоNк
еIеII
jj
a
)1()1()1()1( --+--=-=
ТТ
Uк
коI
Uэ
эоNкэб
еIеIIII
jj
aa
.
Эти формулы Эберса-Молла являются математической моделью транзистора
для анализа его статических характеристик.
В PSpice коэффициенты усиления b
N
и b
I
биполярного транзистора
представлены в виде функции:
b
N
= b
N
макс(a
0
+ a
1
I
1
+ a
2
I
1
2
+ a
3
I
1
3
);
b
I
= b
I
макс(b
0
+ b
1
I
2
+ b
2
I
2
2
+ b
3
I
2
3
);
Cэ и Ск – барьерные и диффузионные емкости p-n-переходов;
Rэут и Rкут – отражают токи утечки переходов и эффект Эрли;
Rэ, Rк, Rб – объемные сопротивления областей транзистора.
В Pspice используются две модели биполярного транзистора: модель
Эберса-Молла и модель Гуммеля-Пуна. При отсутствии всех параметров для
модели Гуммеля-Пуна, автоматически выбирается модель Эберса-Молла.
Интегральная зарядовая модель Гуммеля-Пуна приведена на рис. .
l
Рис.

Страницы