Математическое моделирование в микроэлектронике. Ч.1. Лукьяненко Е.Б. - 9 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Iэ = Iб + Iк.

Можно выделить следующие четыре процесса, происходящие при

переносе носителей заряда от эмиттера к коллектору:

1. Инжекция (впрыскивание) электронов из эмиттера в базу.

2. Диффузия и дрейф электронов в области базы.

3. Рекомбинация электронов в области базы, за счет чего появляется

базовый ток.

4. Экстракция (втягивание) электронов в область коллектора.

T-образная эквивалентная схема транзистора, основанная на физических

процессах, протекающих в транзисторе, представлена на рис. 3.

Рис. 3.

На схеме обозначено:

Rэ – сопротивление прямо-смещенного эмиттерно-базового перехода;

Rб – объемное сопротивление области базы;

Rк – сопротивление обратно-смещенного коллекторно-базового перехода;

Ск – емкость обратно-смещенного коллекторно-базового перехода;

a - коэффициент усиления по току в схеме с общей базой.

Коэффициент усиления по току в схеме с общей базой рассчитывается по

формуле:

a=Iвых/Iвх=Iк/Iэ.

В схеме с общим эмиттером коэффициент усиления по току рассчитывается по

формуле:

IэIк

Iк

==b

Коэффициент усиления зависит от толщины базы. Чем тоньше база, тем более

высокий коэффициент усиления. Для современных транзисторов характерно

значение b=50…200, что соответствует толщине базы приблизительно 0,8 мкм.

Сопротивление прямосмещенного эмиттерно-базового перехода

определяется по формуле:

= j

/Iэ.