Математическое моделирование в микроэлектронике. Ч.1. Лукьяненко Е.Б. - 10 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

10
Здесь:
j
т
- температурный потенциал. При нормальной температуре он равен
около 25 мВ, Iэ – постоянный ток эмиттера.
В программе PSpice используется более сложная модель биполярного
транзистора: модель Эберса – Молла.
a a
Рис. 3.
В модели обозначены:
I
1
и I
2
– токи инжектируемых носителей через переходы эмиттер-база и
коллектор – база;
a
N
I
1
и a
I
I
2
– токи собираемых коллектором и эмиттером носителей;
a
N
, a
I
– коэффициенты передачи тока при нормальном и инверсном
включении.
Из рисунка следует, что
Iэ = I
1
- a
I
I
2
Iк = a
N
I
1
– I
2
,
Где
)1(
01
-=
Т
Uэ
э
еII
j
(1)
)1(
02
-=
Т
Uэ
К
еII
j
(2)
Подставляя (2) в (1), найдем статические вольт-амперные характеристики:

Страницы