Проектирование сенсорных и актюаторных элементов микросистемной техники. Лысенко И.Е. - 16 стр.

UptoLike

Составители: 

сенсорных и актюаторных элементов на одной подложке с элементами обраJ
ботки, передачи и хранения информации. Кроме того, планарные многоуровнеJ
вые актюаторные элементы имеют большую функциональность по сравнению с
конструкциями тех же размеров, созданных с использованием объемной миJ
крообработки.
В табл.1.4 приведены физико-топологические параметры слоев, используJ
емых в MUMPs-технологии [28].
Таблица 1.4
Физико-топологические параметры слоев,
используемых в MUMPs-технологии
Слои
Толщина,
мкм
Остаточное напряжение,
МПа
Удельное сопротивление,
Ом/кв
min типичное max min типичное max
nitride 0,6 0 90 180 -
poly0 0,5 0 -25 -150 15 30 45
ox1 2,0 - -
poly1 2,0 0 -10 -20 1 10 20
ox2 0,75 - -
poly2 1,5 0 -10 -20 10 20 30
metal 0,5 0 50 100 0,05 0,06 0,07
В настоящее время ведется разработка пятислойного процесса MUMPs-
технологии. Отличием пятислойного процесса MUMPs-технологии от трехJ
слойного является использование четырех структурных слоев и наличие операJ
ции механической полировки. Операция микромеханической полировки приJ
звана снизить текстурирование поверхностей верхних структурных слоев полиJ
кремния.
1.5. SUMMiT-технология
SUMMiT-технология (Sandia Ultra-planar, Multi-level MEMS Technology)
представляет собой четырехслойный поликремниевый процесс стандартной
технологии поверхностной микрообработки, разработанный в Sandia National
Laboratories (USA) [30].
Как отмечалось выше, использование большого числа структурных слоев
приводит к появлению текстуирования поверхностей верхних слоев. Чтобы
снизить погрешность изготовления интегральных элементов МСТ, связанную с
текстуированием, компания Sandia разработала метод планаризации, основанJ
ный на химико-механической полировке. Данная операция осуществляется над
верхними слоями поликремния и позволяет сохранить планарность процесса
изготовления элементов МСТ [30].
В табл.1.5 приведены топологические параметры слоев в порядке нанесеJ
ния на подложку, используемых в SUMMiT-технологии [30].
16