Проектирование сенсорных и актюаторных элементов микросистемной техники. Лысенко И.Е. - 17 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

Таблица 1.5
Топологические параметры слоев, используемых в SUMMiT-технологии
Слои Толщина, мкм
Оксид кремния (SiO
2
) 0,63
Нитрид кремния (Si
3
N
4
) 0,8
Слой поликремния (poly0) 0,3
Первый жертвенный слой (ox1) 2,0
Первый структурный слой (poly1) 1,0
Второй жертвенный слой (ox2) 0,5
Второй структурный слой (poly2) 1,5
Третий жертвенный слой (ox3) 2,0
Третий структурный слой (poly3) 2,25
Остаточное напряжение структурных слоев используемых в SUMMiT-
технологии, составляет менее 5 МПа [30].
В настоящее время разработана SUMMiT V-технология, представляющая
собой пятислойный поликремниевый процесс. Отличие данной технологии от
SUMMiT-технологии заключается в дополнительных жертвенном (ox4) и
структурном (poly4) слоях, толщиной 2,0 и 2,25 мкм соответственно. Что позвоJ
ляет создавать элементы МСТ на перемещаемых платформах. Кроме того, моJ
гут быть изготовлены более «высокие» элементы МСТ (порядка 12 мкм толщиJ
ной) [30].
Недостатком данной технологии является невозможность изготовления
элементов МСТ из другого материала, кроме как из поликремния.
Достоинством SUMMiT-технологии (как и MUMPs-технологии) является
возможность интегрального создания большого количества различных по функJ
циональному назначению элементов МСТ в одном процессе изготовления с
элементами ИС, что позволить снизить стоимость устройств.
2. СЕНСОРНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ МИКРОСИСТЕМНОЙ ТЕХНИКИ
Сенсор – это устройство, преобразующее входное воздействие различной
физической природы в электрический сигнал.
Сенсорные элементы микросистемной техники составляют один из
классов твердотельных датчиков, чья основная особенность – конструктивно-
технологическая и функциональная интеграция на одном кристалле совместно
с устройствами интегральных схем [2,7,9,31-35].
Сенсорные элементы МСТ не работают самостоятельно. Обычно, они явJ
ляются частью большой микросистемы, состоящей из набора различных, по
функциональному признаку, сенсоров и аналого-цифровых цепей обработки
сигнала.
В качестве сенсорных элементов МСТ используются как элементы ИС
(резисторы, конденсаторы, диоды и транзисторы), изготовленные по традициJ
онным технологиям ИС, так и микромеханические структуры (мембраны, балJ
17

Страницы