Электромагнитная совместимость радиоэлектронных средств. Малков Н.А - 41 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

()
t
H
drr
∂
∂
µ+µπ−=ε
об000
2
. (5.9)
Здесь через
0
µ обозначена магнитная проницаемость среды, заполняющей полость оболочки (для воздуха
7
0
104
−
⋅π=µ Гн/м). Из (5.6), (5.8) и (5.9) найдем индуктивность оболочки для поперечного кругового тока:
()
dr
r
L
об00
0
об
2
22
µ+µ
π
=
. (5.10)
Энергия магнитного поля поглощенная системой
a
W
()
dttiR
2
0
обоб
∫
∞
=
. (5.11)
Если действует импульс магнитного поля прямоугольной формы длительностью
n
t и амплитудой
m
H , то индуцируемая
в оболочке ЭДС в соответствии с (5.9) будет:
()
(
)
(
)
[
]
(
)
(
)
[
]
nnmоб
tAtHdrr
δ
−
δ
=
δ
−
δ
µ
+µπ−=
ε
002
0000
,
где
()
tδ – дельта-функция (единичная импульсная функция).
Соответственно ток оболочки равен:
>
−−
<<
<
=
θ
−
−
θ
−
θ
−
,при,1
;0при,
;0при,0
обоб
об
об
об
об
n
ttt
n
t
ttee
L
A
tte
L
A
t
i
nn
где
об
об
об
R
L
=θ
;
ld
r
R
σ
π
=
0
об
2
.
Подставляя найденный ток в выражение для поглощенной энергии (5.11), получим
()
(
)
об
122
2
0об000
θ
−µ+µπ=
n
t
m
eHdrlrW .
Сравнивая поглощенную энергию ЭМИ элементами и схемами электронной системы с минимальным уровнем энергии,
достаточной для сбоя в работе или необратимых повреждений, можно сделать вывод об устойчивости отдельных элементов
и системы в целом к воздействию ЭМИ.
Приведенная методика оценки устойчивости электронных систем к воздействию ЭМИ ядерного взрыва может быть вы-
полнена при условии знания величин напряженностей электрического, магнитного полей ЭМИ в области пространства, где
размещены исследуемые системы. В условиях мирного времени можно лишь предположительно судить об этих величинах.
Поэтому для оценки устойчивости различной электронной аппаратуры к воздействию ЭМИ можно использовать более уп-
рощенную схему оценки.
Порядок проведения оценки в этом случае может быть следующим.
1.
Составить перечень основных комплектующих элементов анализируемой аппаратуры.
2.
Приближенно определить степень защищенности K от ЭМИ для каждого элемента схемы (наличие приемников
ЭМИ, проводников, связанных с данным элементом, экранов, фильтров, заземлений и т.д.). Величина
K может быть как
больше единицы, так и меньше единицы.
3.
Используя табл. 5.6 и табл. 5.7, а также литературные данные по минимальной энергии ЭМИ, вызывающей повреж-
дения или сбои в работе рассматриваемых элементов, и выявленную степень их защищенности в конструктивной схеме и
конструкции, определить наименее стойкие к воздействию ЭМИ элементы.
4.
Выработать предложения по повышению устойчивости наименее устойчивых элементов с целью повысить устойчи-
вость всей аппаратуры (системы) в целом, используя один из методов, описанных ниже.
5.
После повышения устойчивости системы обратным расчетом, рекомендуемым в данном параграфе, определить зна-
чения напряженностей электромагнитного поля, создаваемого ЭМИ, которые не вызовут нарушения функционирования
оцениваемой системы.
5.2. Методы повышения устойчивости электронных
систем к воздействию ЭМИ
Основными методами повышения устойчивости электронных схем к воздействию ЭМИ являются:
− выбор наиболее стойких к воздействию ЭМИ комплектующих элементов системы;
− рациональное пространственное размещение узлов и схем системы;

Страницы